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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體材料

兩個(gè)集成電路相關(guān)項(xiàng)目傳新消息

  • 據(jù)無錫發(fā)布消息，5月7日，無錫市舉行全市重大項(xiàng)目觀摩。涉及集成電路領(lǐng)域的項(xiàng)目包括無錫迪思高端掩模項(xiàng)目、江蘇科麥特科技高性能IC封裝新材料項(xiàng)目無錫迪思高端掩模項(xiàng)目預(yù)計(jì)下月竣工驗(yàn)收目前位于無錫高新區(qū)的迪思高端掩模項(xiàng)目，主要設(shè)備正陸續(xù)搬入，預(yù)計(jì)下月完成竣工驗(yàn)收。無錫迪思高端掩模項(xiàng)目總投資20億元，其中固定資產(chǎn)投資(包括廠房建設(shè)和高階機(jī)臺購置)約17億元。預(yù)計(jì)2024年完成90nm量產(chǎn)，2025年達(dá)到40nm量產(chǎn)，2026年實(shí)現(xiàn)28nm量產(chǎn)。待該項(xiàng)目通線并滿產(chǎn)后，將增加28nm-180nm高端掩模版產(chǎn)能2000片
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SEMI報(bào)告：2023年全球半導(dǎo)體材料市場銷售額從2022年的歷史高點(diǎn)下降

  • 美國加州時(shí)間2024年5月6日， SEMI在其報(bào)告中指出，2023年全球半導(dǎo)體材料市場銷售額從2022年創(chuàng)下的727億美元的市場紀(jì)錄下降8.2%，至667億美元。2023年，晶圓制造材料銷售額下降7%，至415億美元，封裝材料銷售額下降10.1%，至252億美元。硅、光刻膠輔助設(shè)備、濕化學(xué)品和CMP領(lǐng)域的晶圓制造材料市場降幅最大。有機(jī)襯底領(lǐng)域在封裝材料市場降幅中占了很大部分比例。2023年，半導(dǎo)體行業(yè)處于努力減少過剩庫存的過程中，晶圓廠利用率下降，從而材料消耗下降。中國臺灣以192億美元的銷售額
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高電壓？高電流？未來新能源汽車充電技術(shù)如何選擇？

  • 近幾年油車電車車主在網(wǎng)上爭吵的點(diǎn)無非就是幾個(gè)：成本問題、續(xù)航問題、技術(shù)成熟度和安全問題以及加油和充電的等待時(shí)間問題，我們知道，傳統(tǒng)的燃油車在加油站加滿油只需要幾分鐘，這與電動(dòng)車充滿電的速度形成鮮明對比，最早的時(shí)候，電動(dòng)車充電需要幾個(gè)小時(shí)，一部分車甚至超過10小時(shí)，而在電壓架構(gòu)升級后，快充讓充電速度降低到半小時(shí)以內(nèi)，新能源汽車制造商敏銳地意識到了這個(gè)問題，充電速度可以打消一部分用戶的續(xù)航焦慮，并且這也成為宣傳時(shí)的一個(gè)賣點(diǎn)，可以說這一問題的解決可以吸引大批客戶的青睞，成為競爭的有利手段。隨著小米SU7的發(fā)布，
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3億美元！AAMI滁州生產(chǎn)基地落成投產(chǎn)

  • 3月18日，總投資3億美元的先進(jìn)半導(dǎo)體材料（安徽）有限公司（以下簡稱“滁州生產(chǎn)基地”）正式落成投產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，滁州生產(chǎn)基地由先進(jìn)封裝材料國際有限公司（AAMI）投資，總投資3億美元，位于中新蘇滁高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)。首期生產(chǎn)基地建成廠房總建筑面積達(dá)7萬平方米，包括多條沖壓式及蝕刻式引線框架產(chǎn)線，滁州生產(chǎn)基地?fù)碛懈呔芤€框架以及高精密沖壓模具設(shè)計(jì)與制造的能力，以及世界先進(jìn)的表面處理技術(shù)，提供全面的引線框架產(chǎn)品和材料解決方案，年產(chǎn)能1.5萬千米，并采用數(shù)字化及網(wǎng)絡(luò)化生產(chǎn)管理系統(tǒng)。滁州生產(chǎn)基地是先進(jìn)封裝材料國際
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新美光（蘇州）半導(dǎo)體科技有限公司項(xiàng)目拿地即開工

  • 據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，近日，新美光（蘇州）半導(dǎo)體科技有限公司項(xiàng)目順利取得建筑工程施工許可證，實(shí)現(xiàn)“拿地即開工”。資料顯示，新美光（蘇州）半導(dǎo)體科技有限公司專注于研發(fā)先進(jìn)半導(dǎo)體材料，從事集成電路核心零部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，致力于打造成核心零部件的平臺型企業(yè)，先后榮獲蘇州市瞪羚企業(yè)、獨(dú)角獸培育企業(yè)、國家高新技術(shù)企業(yè)等榮譽(yù)稱號，并參與2個(gè)國家級重大研發(fā)專項(xiàng)課題。新美光將總部項(xiàng)目位于園區(qū)高端制造與國際貿(mào)易區(qū)，現(xiàn)代大道南、唯勝路東、中新大道北，總用地面積約3.55公頃，園區(qū)內(nèi)共有9個(gè)單體建筑，主要包括辦公樓、研發(fā)樓
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一種使用2D材料進(jìn)行3D集成的新方法

  • 半導(dǎo)體 2D 材料的研究越來越深入了。
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攻克 2nm 技術(shù)，材料、化學(xué)品發(fā)揮關(guān)鍵作用

  • 摩爾定律的放緩使供應(yīng)鏈的新角落受到關(guān)注。
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?第一塊石墨烯半導(dǎo)體向超高速計(jì)算機(jī)邁進(jìn)了一步

  • 第一塊石墨烯半導(dǎo)體，向超高速計(jì)算機(jī)邁進(jìn)了一步。2013年12月20日，沃茲米茲·斯特魯賓斯基博士在位于波蘭華沙的電子材料技術(shù)研究所（ITME）的實(shí)驗(yàn)室展示了石墨烯樣品。沃茲米茲·斯特魯賓斯基博士發(fā)明了一種基于外延生長的新方法來生產(chǎn)石墨烯。ITME的波蘭科學(xué)家開發(fā)了生產(chǎn)低成本石墨烯和接收最高質(zhì)量材料的專利技術(shù)。波蘭于2013年12月18日開始制造石墨烯基產(chǎn)品，這是一種超強(qiáng)、柔韌的材料，有可能用于下一代半導(dǎo)體和顯示器。2013年12月20日，基于外延生長法生產(chǎn)石墨烯的新方法的發(fā)明者Wlodzimierz St
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半導(dǎo)體編年史：硅「不為人知」的故事

  • 硅轉(zhuǎn)化為現(xiàn)代電子產(chǎn)品基石的復(fù)雜過程。
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有望成為新型半導(dǎo)體材料，同濟(jì)成果再登《自然》

  • 這項(xiàng)研究工作極大推動(dòng)了環(huán)型碳領(lǐng)域的發(fā)展。
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如果中國切斷芯片制造材料供應(yīng)，世界將付出高昂代價(jià)

  • 就在中國宣布限制對制造半導(dǎo)體至關(guān)重要的鍺和鎵的出口一個(gè)月后，其材料的海外出貨量降至零。北京表示，此后已批準(zhǔn)了一些出口許可證，但這些限制是一個(gè)嚴(yán)厲的警告，表明中國擁有強(qiáng)大的武器，可以在圍繞科技未來不斷升級的貿(mào)易戰(zhàn)中使用。 此前，美國、歐洲和日本限制向中國銷售芯片和芯片制造設(shè)備，以切斷中國獲得可用于軍方的關(guān)鍵技術(shù)的渠道?！艾F(xiàn)在判斷限制有多嚴(yán)格還為時(shí)過早。 [但是]如果中國最終阻止大量出口，就會(huì)導(dǎo)致直接消費(fèi)者的供應(yīng)鏈中斷，”歐亞集團(tuán)地球技術(shù)總監(jiān)陸曉萌說。中國幾乎壟斷了這兩種元素的生產(chǎn)。 根據(jù)美國地質(zhì)調(diào)查局 (U
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中國宣布出口限制之后，美國如何采購鎵？

商務(wù)部宣布對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制！全球半導(dǎo)體承壓

  • 商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告。滿足相關(guān)特性的物項(xiàng)，未經(jīng)許可，不得出口。自2023年8月1日起正式實(shí)施。商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告根據(jù)《中華人民共和國出口管制法》《中華人民共和國對外貿(mào)易法》《中華人民共和國海關(guān)法》有關(guān)規(guī)定，為維護(hù)國家安全和利益，經(jīng)國務(wù)院批準(zhǔn)，決定對鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制。有關(guān)事項(xiàng)公告如下：一、滿足以下特性的物項(xiàng)，未經(jīng)許可，不得出口：鎵相關(guān)物項(xiàng)。1.金屬鎵（單質(zhì)）（參考海關(guān)商品編號：8110929010、8
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SEMI：全球半導(dǎo)體材料市場最新排名，大陸第二

  • 2022 年全球半導(dǎo)體材料市場收入達(dá)到 727 億美元。
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“終極功率半導(dǎo)體”獲突破性進(jìn)展！金剛石成下一代半導(dǎo)體材料

  • 近日，被稱為“終極功率半導(dǎo)體”、使用金剛石的電力控制用半導(dǎo)體的開發(fā)取得進(jìn)展。日本佐賀大學(xué)教授嘉數(shù)教授與精密零部件制造商日本Orbray合作開發(fā)出了用金剛石制成的功率半導(dǎo)體，并以1平方厘米875兆瓦的電力運(yùn)行。在金剛石半導(dǎo)體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導(dǎo)體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。與作為新一代功率半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）產(chǎn)品和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品相比，金剛石半導(dǎo)體耐高電壓等性能出色，電力損耗被認(rèn)為可減少到硅制產(chǎn)品的五萬分之一。金剛石功率半導(dǎo)體的耐熱性和抗輻射性也很強(qiáng)，到2050年前后，有望
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半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體材料（semiconductor material） 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細(xì) ]

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