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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 半導體材料

西安半導體業(yè)：抓住市場熱點 完善產(chǎn)業(yè)體系

  • 　　西安是我國重要的半導體產(chǎn)業(yè)基地之一。雖然遠離沿海，但西安仍快速抓住了市場熱點，在“十一五”期間，西安在集成電路產(chǎn)業(yè)方面進行錯位發(fā)展，將重點集中在設計、設備、材料及導航業(yè)上。 　　多款自主創(chuàng)新芯片量產(chǎn) 　　西安的第一個錯位發(fā)展領域是集成電路設計業(yè)?！耙驗樵O計是一個智力型產(chǎn)業(yè)，西安在這方面的資源非常有優(yōu)勢?！标兾骷呻娐沸袠I(yè)協(xié)會秘書長藺建文介紹了其中的原因，“在這方面，我們要發(fā)展一些高端的、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新產(chǎn)品，這是我們這幾年花精力比較多的方面?！苯?jīng)過幾年的發(fā)展，目前，設計業(yè)已初具規(guī)模。 　　
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iSuppli:07年中國半導體市場收入將增15%

  • 　　據(jù)外電報道，市場研究公司iSuppli稱，由于第三季度強勁增長，中國半導體市場2007年的銷售收入將達到iSuppli預測的15%的增長率。 　　iSuppli稱，中國半導體市場2007年的銷售收入預計將從2006年的450億美元增長到520億美元。這標志著中國半導體市場的年收入首次突破500億美元。 　　iSuppli中國研究機構(gòu)的高級分析師Horse Liu稱，第三季度中間市場的強勁需求幫助半導體廠商實現(xiàn)了銷售收入目標。同時，盡管人民幣升值和石油價格上漲，中國電子產(chǎn)品出口仍然顯著增長。 　　
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功率場效應晶體管(MOSFET)原理

  • 　　功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場效應管的結(jié)構(gòu)和工作原理 　　電力場效應晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
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全球太陽能行業(yè)：硅料供需知多少

  • 　　對太陽能電池行業(yè)供需形勢的判斷需要了解供給和需求兩個方面，尤其是多晶硅的供給量。未來多晶硅供應增量包括三部分：傳統(tǒng)大廠的擴產(chǎn)、新進入廠商的產(chǎn)量、物理法等新技術增加的產(chǎn)量。傳統(tǒng)大廠太陽能級硅料產(chǎn)能在2008年翻番，2010年達到40350噸;物理法、FBR等新技術的計劃年產(chǎn)能也已經(jīng)超過1萬噸;包括中國、俄羅斯、西班牙等國的新廠計劃產(chǎn)能也超過20000噸，可靠產(chǎn)能超過6000噸。 　　硅料供應緊張有望緩解 　　由硅料供應可以判斷太陽能行業(yè)供給狀況。太陽能電池根據(jù)原料來源可以分為三類：太陽能級多晶硅制造
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多晶硅技術有瓶頸 太陽能發(fā)電短期難大用

  • 　　太陽能是最大的無污染可再生能源，它取之不盡，用之不竭，是今后人類能源利用的重點。但目前太陽能發(fā)電只占可再生能源5‰，居四大可再生能源的末位。這主要在于生產(chǎn)太陽能電池多晶硅的改良西門子法耗電量太大，而正在探索中的冶金物理法技術尚不成熟。這需要我國科技工作者加快研發(fā)步伐，以期在研制太陽能電池方面取得突破性進展。 　　太陽能基地電能輸送是難題 　　太陽能是無污染的巨大能源。太陽每秒照射到地球上的能量相當于500億噸煤，比目前全人類的能耗量還大3.5萬倍。太陽內(nèi)部的核聚變可以維持幾百億年，相對于人類的有限
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分析：今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)前景不容樂觀

  • 　　市場調(diào)研公司Gartner日前降低了對今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)的增長預測。它警告稱，隨著該產(chǎn)業(yè)走向32納米工藝技術，處境只會變得越發(fā)困難。分析師在日前召開的年度吹風會上表示，該產(chǎn)業(yè)明年仍可能陷入衰退，取決于宏觀經(jīng)濟方面的一些因素。另外，Gartner發(fā)布了2007年的初步市場份額數(shù)據(jù)，顯示東芝、高通和海力士半導體是最大的贏家，而AMD、飛思卡爾和IBM則是最大的輸家。 　　“該市場趨于成熟，到了該進一步整合的時候，”Gartner的半導體研究副總裁BryanLewis表示，“如果你不具備一定的規(guī)?；蛘咴黾?/li>
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晶閘管的保護措施

  • 1、 過電壓保護 　　晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。 　　過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾
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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

  • 一、IGBT的工作原理 　　電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關器件；因此其通、斷驅(qū)動控制功率很小，開關速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開關器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導電）、電流控制型開關器件；因此其通-斷控制驅(qū)動功率大，開關速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機制相結(jié)合的新一代半導
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功率MOSFET的保護

安森美半導體高效電源管理技術助力節(jié)能環(huán)保

  • 　　當今社會，能源危機和環(huán)境污染已經(jīng)成為世界各國共同面臨的兩大難題。隨著人們環(huán)保和節(jié)能意識的增加，低功耗設計越來越受到廠商、消費者和各國政府的關注，高能效的電源設計將成為市場的主導。并且，電源設計周期加快、低待機能耗、高能效以及減少占位面積的要求正在改變傳統(tǒng)的電源設計方法，推動電源管理設計的創(chuàng)新。無論是客觀環(huán)境，還是人們的主觀意識上，“環(huán)保節(jié)能型”設計已是電源管理市場發(fā)展的大趨勢。 　　“環(huán)保節(jié)能型”設計的需求在給半導體產(chǎn)業(yè)帶來巨大機遇的同時，也帶來了重大挑戰(zhàn)。在滿足政府及相關組織提出的節(jié)能環(huán)保標準和規(guī)
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  安森美  半導體  電源管理  半導體材料  

2006-2011年亞洲半導體生產(chǎn)每年遞增10.8%

  • 　　據(jù)市場研究公司In-Stat最新發(fā)表的研究報告稱，亞洲半導體制造行業(yè)一直在快速提高生產(chǎn)能力，這種趨勢在未來幾年還將繼續(xù)下去。這篇研究報告預測稱，亞洲半導體生產(chǎn)能力從2006年至2011年的復合年增長率為10.8%。 　　分析師稱，隨著集成設備廠商外包的增長，純代工廠商將越來越重要。純代工廠商在開發(fā)領先的工藝技術方面將保持領先的地位。亞洲地區(qū)DRAM內(nèi)存和閃存生產(chǎn)能力也將強勁增長。這篇報告的要點包括： 　　
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  亞洲  半導體  晶圓  半導體材料  

電力雙極型晶體管

  • 　　電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開關狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關斷，是典型的自關斷器件。 一、電力晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理 　　電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導體，2個PN結(jié)的三端器件，有PNP和NPN這2種類型，但GTR多采用NPN型。GTR的結(jié)構(gòu)、電氣符號和基本工作原理，如圖1所示。 　　在應用中，GT
  • 關鍵字： 雙極型晶體管  半導體材料  

功率二極管原理與應用

  • 1、 功率二極管的基本特性 　　圖1（a）和圖1(b)所示為功率二極管的電路符號和靜態(tài)伏安特性。我們已經(jīng)知道，當二極管處在正向電壓作用下，管子兩端正偏壓很小(約1V左右)時便開始導通；若二極管兩端加以反向電壓時，在被擊穿前僅有極小的可忽略不計的泄漏電流流過器件；正常工作時，加在二極管上的反向電壓應小于擊穿限定電壓值。 　　根據(jù)二極管在阻斷狀態(tài)（反向電壓下）時僅有極小的漏電流和在導通狀態(tài)時管壓降很低的特點，比較其工作過程中的電壓和電流的變化，我們可以得到它的理想伏安特性，如圖1（c）所示。該理想特性可用
  • 關鍵字： 功率二極管  半導體材料  

中國光伏產(chǎn)業(yè)多晶硅短缺仍在持續(xù)

  • 　　多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎材料。近年來，由于世界半導體集成電路產(chǎn)業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，尤其是受太陽能電池產(chǎn)業(yè)發(fā)展的驅(qū)動，多晶硅市場得以迅速增長。而多晶硅市場供需不平衡問題的日益突出，也引起了全世界的廣泛關注。 　　在當今能源日趨緊張、環(huán)境壓力日趨增大的情況下，可再生能源受到各國政府的日益重視，太陽能作為一種重要的可再生能源，其開發(fā)和利用已成為各國可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分。目前，我國可再生能源規(guī)模只有8%，未來的發(fā)展空間十分廣闊。而作為21世紀最有潛力的能源，太陽能產(chǎn)業(yè)在研發(fā)、
  • 關鍵字： 太陽能  多晶硅  光伏  半導體材料  

全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點2：加強代工、應用驅(qū)動、聯(lián)合開發(fā)

  • IDM廠商加強代工業(yè)務　　多年來，全球半導體代工領域始終由臺積電、聯(lián)電和Chartered三大廠商把持，其中僅臺積電、聯(lián)電兩家就占全球代工市場的70%以上。但是，從2003年開始，全球半導體代工業(yè)格局開始發(fā)生變化，IBM、三星等IDM廠商相繼加強了代工業(yè)務。 　　首先是2003年，IBM宣布進入代工領域。IBM作為全球老牌的半導體制造商，掌握著大量半導體制造的專利技術。進入代工領域后，受到業(yè)界高度關注，陸續(xù)獲得了亞德諾、Broadcom、Intersil、NVIDIA、高通等大廠的訂單，并與超微
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半導體材料介紹

半導體材料（semiconductor material） 導電能力介于導體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導體。半導體材料是一類具有半導體性能、可用來制作半導體器件和集成電的電子材料，其電導率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導體材料的電學性質(zhì)對光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導率。正是利用半導體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細 ]

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