半導體材料 文章 進入半導體材料技術(shù)社區(qū)
可關(guān)斷晶閘管(GTO)
- 門極可斷晶閘管(gate turn-off thyristor,GTO)是一種具有自斷能力的晶閘管。處于斷態(tài)時，如果有陽極正向電壓，在其門極加上正向觸發(fā)脈沖電流后，GTO可由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，已處于通態(tài)時，門極加上足夠大的反向脈沖電流，GTO由通態(tài)轉(zhuǎn)入斷態(tài)。由于不需用外部電路強迫陽極電流為0而使之關(guān)斷，僅由門極加脈沖電流去關(guān)斷它；所以在直流電源供電的DC—DC，DC—AC變換電路中應用時不必設(shè)置強迫關(guān)斷電路。這就簡化了電力變換主電路，提高了工作的可靠性，減少了關(guān)斷損耗，與SCR相比還可以提高電力電子變換的
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晶閘管(SCR)原理
- 晶閘管(thyristor)是硅晶體閘流管的簡稱，俗稱可控硅（SCR），其正式名稱應是反向阻斷三端晶閘管。除此之外，在普通晶閘管的基礎(chǔ)上還派生出許多新型器件，它們是工作頻率較高的快速晶閘管(fast switching thyristor，F(xiàn)ST)、反向?qū)ǖ哪鎸Ьчl管(reverse conducting thyristor，RCT)、兩個方向都具有開關(guān)特性的雙向晶閘管(TRIAC)、門極可以自行關(guān)斷的門極可關(guān)斷晶閘管（gate turn off thyristor，GTO）、門極輔助關(guān)斷晶閘管(g
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西安半導體業(yè)：抓住市場熱點 完善產(chǎn)業(yè)體系
- 西安是我國重要的半導體產(chǎn)業(yè)基地之一。雖然遠離沿海，但西安仍快速抓住了市場熱點，在“十一五”期間，西安在集成電路產(chǎn)業(yè)方面進行錯位發(fā)展，將重點集中在設(shè)計、設(shè)備、材料及導航業(yè)上。 多款自主創(chuàng)新芯片量產(chǎn) 西安的第一個錯位發(fā)展領(lǐng)域是集成電路設(shè)計業(yè)?！耙驗樵O(shè)計是一個智力型產(chǎn)業(yè)，西安在這方面的資源非常有優(yōu)勢。”陜西集成電路行業(yè)協(xié)會秘書長藺建文介紹了其中的原因，“在這方面，我們要發(fā)展一些高端的、具有自主知識產(chǎn)權(quán)的創(chuàng)新產(chǎn)品，這是我們這幾年花精力比較多的方面?！苯?jīng)過幾年的發(fā)展，目前，設(shè)計業(yè)已初具規(guī)模。
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iSuppli:07年中國半導體市場收入將增15%
- 據(jù)外電報道，市場研究公司iSuppli稱，由于第三季度強勁增長，中國半導體市場2007年的銷售收入將達到iSuppli預測的15%的增長率。 iSuppli稱，中國半導體市場2007年的銷售收入預計將從2006年的450億美元增長到520億美元。這標志著中國半導體市場的年收入首次突破500億美元。 iSuppli中國研究機構(gòu)的高級分析師Horse Liu稱，第三季度中間市場的強勁需求幫助半導體廠商實現(xiàn)了銷售收入目標。同時，盡管人民幣升值和石油價格上漲，中國電子產(chǎn)品出口仍然顯著增長。
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功率場效應晶體管(MOSFET)原理
- 功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動功率小,開關(guān)速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅(qū)動和開關(guān)頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車等電子電器設(shè)備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 一、電力場效應管的結(jié)構(gòu)和工作原理 電力場效應晶體管種類和結(jié)構(gòu)有許多種，按導電溝道可分為P溝道和N溝道，同時
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全球太陽能行業(yè)：硅料供需知多少
- 對太陽能電池行業(yè)供需形勢的判斷需要了解供給和需求兩個方面，尤其是多晶硅的供給量。未來多晶硅供應增量包括三部分：傳統(tǒng)大廠的擴產(chǎn)、新進入廠商的產(chǎn)量、物理法等新技術(shù)增加的產(chǎn)量。傳統(tǒng)大廠太陽能級硅料產(chǎn)能在2008年翻番，2010年達到40350噸;物理法、FBR等新技術(shù)的計劃年產(chǎn)能也已經(jīng)超過1萬噸;包括中國、俄羅斯、西班牙等國的新廠計劃產(chǎn)能也超過20000噸，可靠產(chǎn)能超過6000噸。 硅料供應緊張有望緩解 由硅料供應可以判斷太陽能行業(yè)供給狀況。太陽能電池根據(jù)原料來源可以分為三類：太陽能級多晶硅制造
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多晶硅技術(shù)有瓶頸 太陽能發(fā)電短期難大用
- 太陽能是最大的無污染可再生能源，它取之不盡，用之不竭，是今后人類能源利用的重點。但目前太陽能發(fā)電只占可再生能源5‰，居四大可再生能源的末位。這主要在于生產(chǎn)太陽能電池多晶硅的改良西門子法耗電量太大，而正在探索中的冶金物理法技術(shù)尚不成熟。這需要我國科技工作者加快研發(fā)步伐，以期在研制太陽能電池方面取得突破性進展。 太陽能基地電能輸送是難題 太陽能是無污染的巨大能源。太陽每秒照射到地球上的能量相當于500億噸煤，比目前全人類的能耗量還大3.5萬倍。太陽內(nèi)部的核聚變可以維持幾百億年，相對于人類的有限
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分析：今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)前景不容樂觀
- 市場調(diào)研公司Gartner日前降低了對今明兩年半導體產(chǎn)業(yè)的增長預測。它警告稱，隨著該產(chǎn)業(yè)走向32納米工藝技術(shù)，處境只會變得越發(fā)困難。分析師在日前召開的年度吹風會上表示，該產(chǎn)業(yè)明年仍可能陷入衰退，取決于宏觀經(jīng)濟方面的一些因素。另外，Gartner發(fā)布了2007年的初步市場份額數(shù)據(jù)，顯示東芝、高通和海力士半導體是最大的贏家，而AMD、飛思卡爾和IBM則是最大的輸家。 “該市場趨于成熟，到了該進一步整合的時候，”Gartner的半導體研究副總裁BryanLewis表示，“如果你不具備一定的規(guī)模或者增加
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晶閘管的保護措施
- 1、 過電壓保護 晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及抑制過電壓的方法。 過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾
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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）
- 一、IGBT的工作原理 電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關(guān)器件；因此其通、斷驅(qū)動控制功率很小，開關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導電）、電流控制型開關(guān)器件；因此其通-斷控制驅(qū)動功率大，開關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機制相結(jié)合的新一代半導
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安森美半導體高效電源管理技術(shù)助力節(jié)能環(huán)保
- 當今社會，能源危機和環(huán)境污染已經(jīng)成為世界各國共同面臨的兩大難題。隨著人們環(huán)保和節(jié)能意識的增加，低功耗設(shè)計越來越受到廠商、消費者和各國政府的關(guān)注，高能效的電源設(shè)計將成為市場的主導。并且，電源設(shè)計周期加快、低待機能耗、高能效以及減少占位面積的要求正在改變傳統(tǒng)的電源設(shè)計方法，推動電源管理設(shè)計的創(chuàng)新。無論是客觀環(huán)境，還是人們的主觀意識上，“環(huán)保節(jié)能型”設(shè)計已是電源管理市場發(fā)展的大趨勢。 “環(huán)保節(jié)能型”設(shè)計的需求在給半導體產(chǎn)業(yè)帶來巨大機遇的同時，也帶來了重大挑戰(zhàn)。在滿足政府及相關(guān)組織提出的節(jié)能環(huán)保標準和規(guī)
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2006-2011年亞洲半導體生產(chǎn)每年遞增10.8%
- 據(jù)市場研究公司In-Stat最新發(fā)表的研究報告稱，亞洲半導體制造行業(yè)一直在快速提高生產(chǎn)能力，這種趨勢在未來幾年還將繼續(xù)下去。這篇研究報告預測稱，亞洲半導體生產(chǎn)能力從2006年至2011年的復合年增長率為10.8%。 分析師稱，隨著集成設(shè)備廠商外包的增長，純代工廠商將越來越重要。純代工廠商在開發(fā)領(lǐng)先的工藝技術(shù)方面將保持領(lǐng)先的地位。亞洲地區(qū)DRAM內(nèi)存和閃存生產(chǎn)能力也將強勁增長。這篇報告的要點包括：
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電力雙極型晶體管
- 電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開關(guān)狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關(guān)斷，是典型的自關(guān)斷器件。 一、電力晶體管的結(jié)構(gòu)和工作原理 電力晶體管有與一般雙極型晶體管相似的結(jié)構(gòu)、工作原理和特性。它們都是3層半導體，2個PN結(jié)的三端器件，有PNP和NPN這2種類型，但GTR多采用NPN型。GTR的結(jié)構(gòu)、電氣符號和基本工作原理，如圖1所示。 在應用中，GT
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