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鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機(jī)模擬

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作者: 時間:2008-01-23 來源: 收藏

  鐵電同時具備可存儲大量資料的動態(tài)隨機(jī)DRAM)與高速運作的靜態(tài)隨機(jī)()的優(yōu)點,且在斷電后,資料不會消失,亦具備快閃存儲器的優(yōu)點。在所有非易失性存儲器()中,鐵電存儲器件被認(rèn)為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小,集成度更高。特別是這種方式易于實現(xiàn)多值存儲,在相同規(guī)模下可以達(dá)到更高的存儲容量,因而在提高性價比方面具有極大的優(yōu)勢。

  為了系統(tǒng)地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性,米勒首先提出了數(shù)學(xué)模型[2]。后人也有用實驗數(shù)據(jù)、依據(jù)實驗數(shù)據(jù)得到的近似的曲線、或是利用測量儀器得到的測量曲線,雖然這樣的曲線模型很直觀,但基本上是經(jīng)驗?zāi)P停ㄓ眯圆?,沒有理論推導(dǎo)那么系統(tǒng)、充分。本文從器件物理的方程出發(fā),分析得到一些描述鐵電材料的P-V特性模型,并通過對P-V特性的分析,得到關(guān)于其C-V特性的模型,該模型,簡單易于仿真,而且通用性好。

  l 鐵電薄膜的P-V特性建模與模擬

  鐵電薄膜的電滯回線就是MFM結(jié)構(gòu)的電滯回線,所說的鐵電電容就是MFM結(jié)構(gòu)的電容,鐵電電容的C-V模擬就是MFM結(jié)構(gòu)鐵電電容的C-V模擬,也可以理解為對鐵電材料電滯回線P-V曲線的求導(dǎo)。

  依據(jù)Miler的基本的數(shù)學(xué)模型來推導(dǎo)出鐵電材料電滯回線新的解析表達(dá)式,Hang-Ting Lue做出了改進(jìn),提出了新的非飽和電滯回線模型[3,4]。對于非飽和情況下的2個分支為如下的方程:

  

  然而

  

  函數(shù)在推導(dǎo)起來特別麻煩,計算起來更為復(fù)雜,通過在軟件中的嘗試和曲線擬和,用arctan(χ)函數(shù)來代替tanh(χ),引入模擬因子α和b,這就簡化了計算,更有利于對曲線的模擬。并且通過模擬比對,arctan(χ)函數(shù)的模擬更加接近于實驗結(jié)果。在模擬中,將電場改為在現(xiàn)實中更容易理解的電壓。

  

  對于不飽和的情況也進(jìn)行了分析。此時,因為不是飽和情況,所以對應(yīng)的Vm變成Vn,其擬和曲線參數(shù)b變?yōu)閎1,因此,電滯回線的P-V方程可以寫為:

  

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  模擬時的參數(shù)為α=3,b=0.05,模擬得到的曲線如圖1(a)所示,將模擬的P-V曲線和實測的極化電壓曲線圖1(b)進(jìn)行對比。

  

  2鐵電電容的數(shù)學(xué)模型建模與模擬

  從數(shù)學(xué)角度來講,對鐵電薄膜電滯回線求導(dǎo)數(shù),再加入電容面積的因素,就可以得到C-V關(guān)系曲線,即MFM(金屬/鐵電薄膜/金屬)鐵電電容的C-V關(guān)系[5]。

  依據(jù)鐵電薄膜電滯回線的物理數(shù)學(xué)模型,借鑒類似的歧見模擬方法,可以得到鐵電電容C-V關(guān)系模型,對式(7)和式(8)求導(dǎo),整理得到:

  

  這2支曲線分別是C-V曲線的2個上下半支,將2支曲線合并,可以得到:

  

  當(dāng)鐵電極化正向極化態(tài)時,取"+"號;當(dāng)鐵電極化負(fù)向極化態(tài)時,取"-"號。

  同理,將非飽和下的兩支曲線合并,得到:

  

  但是用上面的方程模擬出來的曲線在電壓絕對值較小的時候,誤差較大。通過在軟件中的多次測試、仿真、刪選參數(shù),得到了下面的一組方程:

  

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  3 結(jié) 語

  通過對前人的鐵電材料的電滯回線雙曲模型的改進(jìn),簡化了電滯回線的模型,從而使其更容易在軟件中得到實現(xiàn)。對于不同參數(shù)的P-V特性曲線模型進(jìn)行模擬,得到不同飽和程度、不同最大電壓下的P-V特性曲線。與實測的數(shù)據(jù)對比,模擬曲線吻合實測曲線,模型有效,且仿真比較簡單、實用?;诟倪M(jìn)的電滯回線的模型,通過其物理數(shù)學(xué)關(guān)系,推到得到了比較理論系統(tǒng)的鐵電電容的C-V關(guān)系模型。

  通過對不同參數(shù)的分析,在模擬結(jié)果中得到了不同飽和程度,不同最大電壓和不同矯頑電壓的鐵電電容的C-V曲線。將模擬結(jié)果和參考數(shù)據(jù)進(jìn)行比對,模型可以比較準(zhǔn)確地模擬出鐵電電容的特性,以及隨電壓變化規(guī)律。且對于不同飽和程度、不同電壓、不同最大電壓的情況模擬和測試的結(jié)果及規(guī)律都很好的吻合。模型比較準(zhǔn)確,且易仿真實現(xiàn)。



關(guān)鍵詞: 存儲器 SRAM NVM 存儲器

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