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MLCC邁向規(guī)范化工業(yè)生產(chǎn) 核心技術(shù)待提高

作者: 時間:2008-02-01 來源:中國電子報 收藏

  在電子信息產(chǎn)業(yè)迅猛向前發(fā)展的今天,我們震驚于各種電子信息產(chǎn)品,如筆記本電腦、手機(jī)、液晶電視機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和攝影機(jī)、MP4等給我們生活帶來極大便利的同時,我們感覺到現(xiàn)在的電器產(chǎn)品較以前越來越小,且功能越來越完備、功耗越來越小,價格越來越便宜。這一切都?xì)w功于電器產(chǎn)品核心——半導(dǎo)體元器件和眾多的被動貼片元件越來越小型化、高精度、低功耗化,使得家用電器類等信息產(chǎn)品小型化成為可能。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/78520.htm

  MLCC正形成規(guī)范化工業(yè)生產(chǎn)

  片式多層陶瓷電容器(Multi-layerCeramicCapacitor簡稱MLCC)是電子整機(jī)中主要的被動貼片元件之一,它誕生于上世紀(jì)60年代,最先由美國公司研制成功,后來在日本公司(如Murata、TKD、太陽誘電等)迅速發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化,至今依然在全球MLCC領(lǐng)域保持優(yōu)勢,主要表現(xiàn)為生產(chǎn)出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高頻率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特點。由于MLCC標(biāo)稱電容量已達(dá)到10μF-100μF,尺寸已達(dá)到0201-01005(即長×寬為0.01英寸×0.005英寸,以下均為英寸表示),是螞蟻的十分之一大小,所以它已經(jīng)部分取代片式鋁電解電容和片式鉭電容器,且比它們具有更低的損耗值和更好的可靠性。

  從精細(xì)陶瓷粉料到制造出新型片式MLCC元件,工藝流程是復(fù)雜的,需要經(jīng)過十幾道工序,目前已形成了規(guī)范化的工業(yè)生產(chǎn)。上世紀(jì)80年代初,我國開始引進(jìn)第一條MLCC生產(chǎn)線,當(dāng)時主要是為生產(chǎn)彩色電視機(jī)配套負(fù)溫系列電容用的。經(jīng)過20多年的發(fā)展壯大,我國MLCC產(chǎn)業(yè)取得了巨大進(jìn)步,但與日本、韓國等MLCC強(qiáng)國比較,還有一定的差距,主要體現(xiàn)在MLCC技術(shù)方面。

  什么是MLCC技術(shù)?簡而言之,MLCC技術(shù)是一門綜合性應(yīng)用技術(shù),它包括新材料技術(shù),設(shè)計工藝制作技術(shù)、設(shè)備技術(shù)和關(guān)聯(lián)技術(shù)(如質(zhì)量控制技術(shù)中的電子元件可靠性測試、失效分析技術(shù)等)。MLCC技術(shù)涉及材料、機(jī)械、電子、化工、自動化、統(tǒng)計學(xué)等各學(xué)科先進(jìn)理論知識,是多科學(xué)理論和實踐交叉的系統(tǒng)集成,屬于典型的高新技術(shù)范疇。

  核心技術(shù)待提高

  在MLCC技術(shù)中,最核心的技術(shù)是材料技術(shù)(如陶瓷粉料的制備)、介質(zhì)疊層印刷技術(shù)(多層介質(zhì)薄膜疊層印刷)和共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒)。

  1.材料技術(shù)(陶瓷粉料的制備)

  現(xiàn)在MLCC用陶瓷粉料主要分為三大類(Y5V、X7R和COG)。其中X7R材料是各國競爭最激烈的規(guī)格,也是市場需求、電子整機(jī)用量最大的品種之一,其制造原理是基于納米級的鈦酸鋇陶瓷料(BaTiO3)改性。日本廠家根據(jù)大容量(10μF以上)的需求,在D50為100納米的濕法BaTiO3基礎(chǔ)上添加稀土金屬氧化物改性,制造成高可靠性的X7R陶瓷粉料,最終制作出10μF-100μF小尺寸(如0402、0201等)MLCC。國內(nèi)廠家則在D50為300-500納米的BaTiO3基礎(chǔ)上添加稀土金屬氧化物改性制作X7R陶瓷粉料,跟國外先進(jìn)粉體技術(shù)還有一段差距。

  2.疊層印刷技術(shù)(多層介質(zhì)薄膜疊層印刷)

  如何在0805、0603、0402等小尺寸基礎(chǔ)上制造更高電容值的MLCC一直是MLCC業(yè)界的重要課題之一,近幾年隨著材料、工藝和設(shè)備水平的不斷改進(jìn)提高,日本公司已在2μm的薄膜介質(zhì)上疊1000層工藝實踐,生產(chǎn)出單層介質(zhì)厚度為1μm的100μFMLCC,它具有比片式鉭電容器更低的ESR值,工作溫度更寬(-55℃-125℃)。代表國內(nèi)MLCC制作最高水平的風(fēng)華高科公司能夠完成流延成3μm厚的薄膜介質(zhì),燒結(jié)成瓷后2μm厚介質(zhì)的MLCC,與國外先進(jìn)的疊層印刷技術(shù)還有一定差距。當(dāng)然除了具備可以用于多層介質(zhì)薄膜疊層印刷的粉料之外,設(shè)備的自動化程度、精度還有待提高。

  3.共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒)

  MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡單,由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料,疊合共燒而成。為此,不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫謱印㈤_裂,即陶瓷粉料和金屬電極共燒問題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù),掌握好的共燒技術(shù)可以生產(chǎn)出更薄介質(zhì)(2μm以下)、更高層數(shù)(1000層以上)的MLCC。當(dāng)前日本公司在MLCC燒結(jié)專用設(shè)備技術(shù)方面領(lǐng)先于其它各國,不僅有各式氮氣氛窯爐(鐘罩爐和隧道爐),而且在設(shè)備自動化、精度方面有明顯的優(yōu)勢。

  回顧MLCC技術(shù)的發(fā)展歷程,充分體現(xiàn)了一個從簡單到復(fù)雜、低水平向高科技系統(tǒng)集成、從不環(huán)保到環(huán)保的發(fā)展趨勢,是電子信息產(chǎn)品飛速展的一個縮影。其中采用鎳、銅等賤金屬代替銀/鈀貴金屬作為內(nèi)電極材料(即BME技術(shù)),是MLCC技術(shù)發(fā)展的一個重要里程碑,雖然這對MLCC的材料技術(shù)、共燒技術(shù)(采用N2氣氛保護(hù)燒結(jié))、設(shè)備技術(shù)提出了很高的要求,但它帶來了成本的急速下降,同時滿足了當(dāng)今日益苛刻的環(huán)保要求。日本廠家早在十多年前就完成了BME技術(shù)的研究,并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,帶動了MLCC的高速發(fā)展。國內(nèi)廠家也相繼在2001年成功實現(xiàn)MLCC的BME化,為下一步向更高要求的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。隨著MLCC技術(shù)的不斷成熟及整機(jī)要求的不斷提高,MLCC技術(shù)將向如圖所示趨勢發(fā)展。

  

電容發(fā)展

 

  總之,隨著科技的進(jìn)步,MLCC制造業(yè)也獲得了迅猛發(fā)展,主要體現(xiàn)在小型化、高比容大容量、高壓、高頻微波、低功耗等電性能方向深度發(fā)展,這使得MLCC不僅僅用于家電、電腦、通信、汽車電子等4C產(chǎn)品領(lǐng)域,而且用于航天、航空、深海高壓、沙漠鉆探、科考超低溫等特殊環(huán)境下的電子整機(jī)設(shè)備中,起到了其他電容器無法替代的作用。1μF以下電容器,MLCC占絕對優(yōu)勢,而1μF以上電容值范圍,MLCC正逐步取代其他電容器,如薄膜電容器、片式鉭電容器等。



關(guān)鍵詞: MLCC 電容器 半導(dǎo)體

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