捷特科推出采用無鉛 2mm x 2mm DFN 封裝的 MOSFET 產(chǎn)品 ZXMN2F34MA

　　Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其首款采用無鉛 2mm x 2mm DFN 封裝的 MOSFET 產(chǎn)品 ZXMN2F34MA。該器件的印刷電路板占位面積比行業(yè)標準 SOT23 封裝器件小 50%，板外高度只有 0.85 mm，適用于各類空間有限的開關(guān)及電源管理應(yīng)用，如降壓/升壓負載點轉(zhuǎn)換器中的外置開關(guān)。對這些應(yīng)用而言，印刷電路板的占位面積、散熱性能及低閾值電壓是最重要的。

　　MOSFET 是 Zetex 六款新型低電壓 (20V和30V)N溝道單雙器件系列的一款，該系列有不同的表面貼裝封裝可供選擇。

　　盡管尺寸縮小了，額定電壓為 20V 的 ZXMN2F34MA的散熱性能卻勝過體積比它大得多的 SOT23 封裝。該器件采用的 DFN322 無鉛封裝可保證熱阻比同類產(chǎn)品低 40%，有助于降低工作溫度和改善功率密度。在 4.5V 和 2.5V 的典型柵源極電壓下，ZXMN2F34MA 的導(dǎo)通電阻值分別僅有60m? 和120m?。

　　此外，新器件的反向恢復(fù)電荷較低，可減少開關(guān)損耗和電磁輻射(EMI)問題，非常適用于筆記本電腦、移動電話及通用便攜式電子設(shè)備等低電壓應(yīng)用，這些應(yīng)用需要降低在線功率損耗來延長充電間隔時間。

　　ZXMN2F34MA 系列采用 DFN322 封裝，其中 ZXMN2F34FHTA、ZXMN2F30FHTA和 ZXMN3F30FHTA 三款采用 SOT23 封裝的 N 溝道MOSFET;ZXMN3F31DN8 和 ZXMN3G32DN8 兩款則是采用 SO8 封裝的雙 N 溝道器件。更多信息請瀏覽：www.zetex.com。