關(guān) 閉

新聞中心

EEPW首頁 > 工控自動(dòng)化 > 新品快遞 > Cadence多種領(lǐng)先技術(shù)納入TSMC參考流程9.0版本

Cadence多種領(lǐng)先技術(shù)納入TSMC參考流程9.0版本

作者: 時(shí)間:2008-06-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新企業(yè)設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布其多種領(lǐng)先技術(shù)已經(jīng)納入參考流程9.0版本中。這些可靠的能力幫助設(shè)計(jì)師使其產(chǎn)品更快地投入量產(chǎn),提供了自動(dòng)化的、前端到后端的流程,實(shí)現(xiàn)高良品率、省電型設(shè)計(jì),面向晶圓廠的40納米生產(chǎn)工藝。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/84159.htm

  “之間的合作提供了自動(dòng)化的設(shè)計(jì)技術(shù),這是在高級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)低風(fēng)險(xiǎn)和快速量產(chǎn)的必要技術(shù),”設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)營銷部高級(jí)主管S.T. Juang說。

  已經(jīng)在多代的工藝技術(shù)中與TSMC合作,開發(fā)參考流程,提供低功耗設(shè)計(jì)能力和高級(jí)方法學(xué)。通過參考流程9.0,Cadence將這些性能拓展到該晶圓廠的40納米工藝節(jié)點(diǎn),使用光刻物理分析和強(qiáng)化的統(tǒng)計(jì)靜態(tài)時(shí)序分析能力,此外一直追隨TSMC參考流程的Cadence已經(jīng)支持Si2通用功率格式(CPF)有一年多的時(shí)間,而現(xiàn)在加入了新的功能,補(bǔ)充了全面綜合的Cadence®低功耗解決方案,幫助提供快速而精確的低功耗設(shè)計(jì)。

  “我們今天提供的是一種可靠的方法學(xué),為高級(jí)節(jié)點(diǎn)和低功耗設(shè)計(jì)降低風(fēng)險(xiǎn)和加快量產(chǎn)化,”Cadence IC數(shù)字與Power Forward部全球副總裁徐季平說。“我們與TSMC的深入合作從制造變異模型(modeling manufacturing variation)拓展到硅相關(guān)的低功耗技術(shù),提高大量產(chǎn)化芯片的制造能力。”

  這次Cadence對(duì)TSMC參考流程9.0版追加的新功能包括一種透明的中間工藝節(jié)點(diǎn)(half-node)設(shè)計(jì)流程,支持TSMC的40納米工藝技術(shù)。這包括支持40納米布局與繞線規(guī)則、一個(gè)全面的可測(cè)試型(design-for-test) 設(shè)計(jì)流程、結(jié)合成品率考量的漏電功耗和時(shí)序的計(jì)算、增強(qiáng)的基于統(tǒng)計(jì)學(xué)的SI時(shí)序分析、層次化的lithographic physical分析、時(shí)序與漏電分析、層次化和并行的臨界域分析和優(yōu)化、基于CMP考量的RC抽取、clock buffer placement的優(yōu)化、 multi-mode multi-corner分析、以及層次化的dummy metal fill。

  Cadence對(duì)TSMC參考流程9.0版的支持為40納米工藝技術(shù)提供了高級(jí)、功耗、布線與模擬功能。該硅相關(guān)型技術(shù)包括:

  1用于物理實(shí)現(xiàn)的時(shí)序、LEF、Cap libraries和綜合的臨界區(qū)域分析,使用Cadence SoC Encounter™ RTL-to-GDSII 系統(tǒng),包含RTL Compiler與Encounter Timing System。
  2TSMC 認(rèn)可的布線可印刷性檢查(layout printability checking),包括使用Cadence Litho Physical Analyzer其進(jìn)行層次化的分析與熱點(diǎn)偵測(cè),并使用Cadence Cadence Chip Optimizer自動(dòng)修復(fù)。
  3使用Cadence CMP Predictor用于電子熱點(diǎn)偵測(cè),實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing)(厚度)預(yù)測(cè)。
  4層次化的CMP與層次化的dummy metal fill,使用SoC Encounter系統(tǒng)與解決方案。
  5使用Cadence QRC Extraction進(jìn)行功能級(jí)有VCMP意識(shí)的區(qū)塊與芯片級(jí)RC提取。
  6使用對(duì)應(yīng)CPF的RTL-to-GDSII低功耗解決方案特別涵蓋macro modeling、I/O pad modeling, secondary power domains和層次化的流程進(jìn)行IP復(fù)用。
  7使用VoltageStorm® PE和DG Option進(jìn)行IR、EM和功率分析。
  8應(yīng)用dynamic IR drop reduction進(jìn)行高級(jí)multi-mode, multi-corner clock-tree synthesis。
  9使用統(tǒng)計(jì)靜態(tài)時(shí)序分析進(jìn)行thermal runaway分析與熱感知靜態(tài)時(shí)序分析。
  10使用Encounter Test進(jìn)行XOR壓縮與True Time At-Speed ATPG。

  TSMC 最近向功耗前鋒倡議(Power Forward Initiative)的出版物《低功耗設(shè)計(jì)使用指南——用戶的CPF體驗(yàn)》投了一篇稿,詳細(xì)介紹了Cadence低功耗設(shè)計(jì)方法學(xué)的實(shí)際使用。該指南由功耗前鋒倡議于2008年3月發(fā)布,已經(jīng)被下載了2500多次。這份持續(xù)更新的網(wǎng)絡(luò)指南可以在功耗前鋒倡議的網(wǎng)站免費(fèi)下載,網(wǎng)址是:www.powerforward.org.



關(guān)鍵詞: Cadence TSMC DFM

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉