先進的MRAM技術(shù)受到IBM公司 和英飛凌公司研究人員青睞

IBM公司 和英飛凌技術(shù) (Infineon Technologies) 公司將磁存儲器元件集成到高性能邏輯基中，開發(fā)出他們所聲稱的"迄今最先進的磁性隨機存取存儲器技術(shù)（MRAM）。"
　　兩家公司相信，該開發(fā)成果將加速MRAM的商品化，并有可能在早至2005年取代當今某些存儲器技術(shù)。MRAM能導致"即時開啟"的計算機問世，從而使用戶能像電燈開關(guān)那樣快速地開啟和關(guān)閉計算機。
　　這種高速128kb MRAM芯核采用0.18微米基于邏輯的加工工藝制造，據(jù)說是迄今報道的MRAM所用的最小線寬。這種很小的邏輯基能讓IBM 公司和英飛凌公司采用1.4平方微米這一最小的MRAM存儲單元尺寸，而1.4平方微米大約是平常鉛筆橡皮頭的2000萬分之一。通過在這種小存儲單元內(nèi)精確地裝配這種磁性結(jié)構(gòu)，IBM 公司和英飛凌公司的研究人員就能控制存儲器的讀寫操作。
　　MRAM是一種采用磁性載荷，而不是電子載荷來存儲數(shù)據(jù)位的存儲器技術(shù)。它與當前使用的電子存儲器相比，能存儲更多的信息，存取速度更快，耗電更少，從而能大大改進便攜式計算產(chǎn)品的性能
。MRAM兼有當今常用存儲器技術(shù)的某些最佳特性，即DRAM 的存儲容量和低成本，SRAM的高速度，閃存的非易失性。因為MRAM能夠在關(guān)閉電源后保存信息，因此使用MRAM的個人計算機等產(chǎn)品就能立刻啟動，而不需等待軟件來"引導"。