新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 中芯國際開發(fā)出0.11微米CIS工藝技術

中芯國際開發(fā)出0.11微米CIS工藝技術

作者: 時間:2008-10-24 來源:新浪科技 收藏

  北京時間10月23日消息,(NYSE: SMI)今日宣布成功開發(fā)0.11微米CMOS 圖像傳感器(CIS)工藝技術,在此工藝下生產的 CIS 器件,其分辨率、暗光噪聲和相對照度都將得到增強。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/88949.htm

  在中國提供完整的 CIS 代工服務,基于其豐富的領域經驗,該0.11微米 CIS 技術能力可以為客戶提供除0.15,0.18微米以外領先的解決方案及有競爭力的成本優(yōu)勢。該高度集成、高密度 CIS 解決方案,同時適用于鋁和銅后端金屬化工藝,可廣泛應用于攝像手機、個人電腦、工業(yè)和安全市場等領域。在該技術領域已經開始進入試生產階段,未來幾個月后也將在其200和300毫米芯片生產線上實現(xiàn)商業(yè)化生產。

  中芯國際市場行銷中心副總裁歐陽雄表示,“利用優(yōu)化的工藝條件,我們可以成功減少暗噪聲,使其在弱光環(huán)境下實現(xiàn)性能,從而使我們的客戶能夠提供低成本、高性能的產品,有助于提升其競爭力,協(xié)助他們在擁有巨大潛力的 CIS 器件市場中取得領先地位。”



關鍵詞: 中芯國際

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉