TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器

　　【主要特性】

　　1. 主機(jī)接口

　　符合串行ATA 2.6標(biāo)準(zhǔn)，

　　兼容Gen1:1.5 Gbps和Gen2:3.0 Gbps。

　　支持高達(dá)95 MB/秒的讀訪問(wèn)速度和高達(dá)50 MB/秒的寫(xiě)訪問(wèn)速度。

　　* 采用Crystal Disk Mark 2.2測(cè)量。實(shí)際速度取決于閃存連接結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)環(huán)境。

　　2. 支持的閃存

　　GBDriver RA2 控制器支持所有廠商最新的2KB/頁(yè)和4KB/頁(yè)結(jié)構(gòu)的NAND閃存及其最新產(chǎn)品。與SLC和MLC閃存兼容。實(shí)現(xiàn)了128 MB到32 GB (SLC)

　　和256 MB到64GB(MLC)的SATA閃存存儲(chǔ)容量。

　　3. 適用于所有存儲(chǔ)塊的靜態(tài)負(fù)載平衡功能

　　TDK獨(dú)造的靜態(tài)負(fù)載平衡算法，可以計(jì)算出各內(nèi)存塊的擦寫(xiě)次數(shù)，并能均應(yīng)地替換存儲(chǔ)塊。靜態(tài)塊(如OS/FAT)也能被定期均勻地替換，使安裝的

　　閃存壽命實(shí)現(xiàn)最大化并極大地延長(zhǎng)閃存存儲(chǔ)器的壽命?？扇我庠O(shè)置靜態(tài)負(fù)載平衡范圍(超出靜態(tài)負(fù)載平衡范圍內(nèi)的區(qū)域采用動(dòng)態(tài)負(fù)載平衡管理)。

　　4. 改進(jìn)的斷電耐受性

　　在寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)如發(fā)生斷電，獨(dú)創(chuàng)的算法可全面預(yù)防并行數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，不讓錯(cuò)亂的數(shù)據(jù)寫(xiě)入。

　　5. 糾錯(cuò)和恢復(fù)

　　閃存鑒別功能采用8 bit ECC或15 bit ECC來(lái)提供糾錯(cuò)能力，為適應(yīng)未來(lái)NAND的發(fā)展預(yù)留了空間。自動(dòng)恢復(fù)功能包括在重復(fù)讀取數(shù)據(jù)時(shí)自動(dòng)糾正位

　　錯(cuò)誤(讀干擾錯(cuò)誤)。

　　6. 128 bit AES自動(dòng)加密

　　128 bit AES加密功能自動(dòng)加密數(shù)據(jù)并將其寫(xiě)入NAND閃存，以防個(gè)人數(shù)據(jù)和機(jī)密信息被泄露和篡改。

　　7. 其他功能

　　(a) 總簇?cái)?shù)量設(shè)置功能(裁剪功能)

　　可按獨(dú)立的簇單位調(diào)高或調(diào)低分配給數(shù)據(jù)區(qū)的邏輯塊數(shù)量。例如，可通過(guò)減少數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)提高可寫(xiě)入數(shù)據(jù)的次數(shù)。反之，如果應(yīng)用不需

　　要長(zhǎng)命，可通過(guò)增加數(shù)據(jù)區(qū)邏輯塊的數(shù)量來(lái)加大存儲(chǔ)容量。

　　(b) 保護(hù)功能

　　采用 ATA 標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)功能。用戶能夠設(shè)置和取消密碼以保護(hù)重要數(shù)據(jù)。

　　(c) SMART命令支持

　　可通過(guò)智能命令獲得所有內(nèi)存塊數(shù)據(jù)的擦寫(xiě)次數(shù)，以便確定閃存狀態(tài)和進(jìn)行相應(yīng)的壽命管理。

　　8. 解決方案支持

　　TDK自2000年開(kāi)始自主研發(fā)和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器，依托其先進(jìn)技術(shù)為日本和國(guó)外客戶提供技術(shù)支持，包括派遣現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師和實(shí)施

　　可靠性監(jiān)控工作，嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)對(duì)此有強(qiáng)烈需求。