NAND Flash再刮大風(fēng)　30納米世代競(jìng)賽起跑

　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場(chǎng)信心，然存儲(chǔ)器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測(cè)其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準(zhǔn)備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開始準(zhǔn)備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對(duì)東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場(chǎng)。

　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，東芝決定增產(chǎn)，加上傳出三星亦跟進(jìn)，成為壓垮NAND Flash市場(chǎng)最后一根稻草，業(yè)者預(yù)估東芝7月將全產(chǎn)能開出，恐對(duì)供給面不利，然東芝43納米產(chǎn)品日前正式打入蘋果iPhone供應(yīng)鏈，增產(chǎn)部分可能是蘋果專用，因此，并不用太擔(dān)心會(huì)沖擊市場(chǎng)。

　　值得注意的是，目前三星和東芝各以42及43納米制程生產(chǎn)NAND Flash芯片，然三星已開始布局35納米制程，且已送樣給多家控制芯片廠，希望能配合加快腳步，一旦三星35納米制程芯片量產(chǎn)，NAND Flash市場(chǎng)將進(jìn)入30納米世代。

　　控制芯片業(yè)者指出，盡管目前英特爾及美光陣營(yíng)34納米制程跑在前面，但因產(chǎn)能不多，對(duì)市場(chǎng)影響有限，若三星35納米制程順利起跑，將防止英特爾和美光陣營(yíng)坐大機(jī)會(huì)。不過，三星仍應(yīng)注意東芝積極開發(fā)3-bit-per-cell技術(shù)，由于三星在此方面進(jìn)度始終不如東芝，恐怕市占率會(huì)再被東芝侵蝕。模塊廠認(rèn)為，3-bit-per-cell芯片因穩(wěn)定度問題，或許不能用在固態(tài)硬碟(SSD)，但絕對(duì)可用在隨身碟，在成本考量下，3-bit-per-cell技術(shù)殺傷力不小。

　　存儲(chǔ)器業(yè)者表示，三星35納米制程量產(chǎn)后，預(yù)計(jì)伴隨成本結(jié)構(gòu)下降，NAND Flash價(jià)格恐將再有一波修正，主流規(guī)格將由目前16Gb向上推升到32Gb，若應(yīng)用端僅限于隨身碟或快閃記憶卡，恐無法消化這么高容量，可能導(dǎo)致價(jià)格下跌，但此亦有助于固態(tài)硬碟拉近與硬碟成本，擴(kuò)大市場(chǎng)需求。對(duì)臺(tái)系模塊廠而言，亦樂見NAND Flash廠制程持續(xù)微縮，進(jìn)一步帶動(dòng)SSD產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)。