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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 43納米

飛索澄清“暫停與武漢新芯的合作”純屬誤解

  • 　　針對先前有媒體報導(dǎo)飛索暫停了與武漢新芯的合作，飛索公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation昨日駁斥上述說法，并指出這是一場誤解。事實上，飛索與中芯國際和武漢新芯的合作，都還在持續(xù)進行中，包括盡快移轉(zhuǎn)43納米的技術(shù)，還有一個大型工作團隊正在努力進行65納米的生產(chǎn)產(chǎn)能驗證資格，為明年2010年第二季的合作量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。 　　飛索指出，該公司受到金融風(fēng)暴和破產(chǎn)重整的影響，打亂了原先2008年的規(guī)劃，65納米的生產(chǎn)提早于2010年第二季前實現(xiàn)的計劃已經(jīng)落空，所以現(xiàn)階段飛索只能自行利用內(nèi)部已有設(shè)備生產(chǎn)。可是，預(yù)
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晶圓代工景氣回升 武漢新芯受益

  • 　　雖然其合作伙伴飛索半導(dǎo)體申請破產(chǎn)，武漢新芯與飛索65納米，43納米的技術(shù)研發(fā)及專利授權(quán)方面，仍在持續(xù)進行當(dāng)中。 　　武漢新芯于2006年6月28日開工建設(shè)，為中國中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線，由湖北省、武漢市、東湖高新區(qū)三級財政共同投資，并委托中芯國際經(jīng)營管理。 　　據(jù)中國經(jīng)濟網(wǎng)記者了解，武漢新芯的12英寸晶圓廠有能力供應(yīng)多種先進制程的產(chǎn)品，產(chǎn)品線包括90納米至43納米制程的存儲芯片和閃存產(chǎn)品。武漢生產(chǎn)線產(chǎn)能可以加工客戶訂單的需求，預(yù)期還有多筆訂單會陸續(xù)進來。目前90納米的產(chǎn)品線，月產(chǎn)能3
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NAND Flash再刮大風(fēng)　30納米世代競賽起跑

  • 　　全球NAND Flash需求仍相當(dāng)疲弱，盡管東芝(Toshiba)宣布增產(chǎn)重創(chuàng)市場信心，然存儲器業(yè)者透露，由于東芝43納米制程NAND Flash芯片日前打入蘋果(Apple)iPhone供應(yīng)鏈，推測其增產(chǎn)系為蘋果供貨做準(zhǔn)備，近期更需關(guān)注的是，三星電子(Samsung Electronics)除采用既有42納米制程應(yīng)戰(zhàn)，亦開始準(zhǔn)備最新版35納米制程NAND Flash芯片，且已陸續(xù)送樣給控制芯片廠，這不僅將對東芝和英特爾(Intel)、美光(Micron)聯(lián)盟造成壓力，亦將影響NAND Flash市場
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  30納米  43納米  

東芝今年開始生產(chǎn)閃存芯片 采用43納米制程

  • 據(jù)日本經(jīng)濟新聞4月21日報道，東芝最快將在本會計年度開始采用43納米制程生產(chǎn)閃存芯片，以降低生產(chǎn)成本。 東芝為全球第二大閃存芯片制造商，僅次于韓國三星電子。報道指出，由于芯片價格料在2007/08年度挫跌50%，因此該公司急于提高晶片生產(chǎn)效率。  日經(jīng)新聞稱，使用43納米制程，將可使東芝生產(chǎn)成本降低40%。 報道稱，三星電子計劃今年開始采用50納米制程。
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43納米介紹

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