臺設(shè)備廠切入薄膜太陽能 非晶硅與CIGS為主流
臺系設(shè)備廠切入薄膜太陽能領(lǐng)域,目前主要以非晶硅及銅銦鎵硒(CIGS)領(lǐng)域?yàn)橹?,臺系設(shè)備業(yè)者指出,由于開發(fā)薄膜太陽能設(shè)備成功關(guān)鍵在于制程設(shè)備,其與半導(dǎo)體制程類似,為臺系業(yè)者欠缺之技術(shù),開發(fā)難度遠(yuǎn)較先期預(yù)期來的高,恐怕未來能在薄膜設(shè)備領(lǐng)域成功者僅少數(shù)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/95648.htm臺系設(shè)備業(yè)者指出,目前切入薄膜太陽能設(shè)備者主流為非晶硅與CIGS兩大領(lǐng)域,多數(shù)大廠皆朝向開發(fā)Turnkey Solution,不過其中關(guān)鍵制程設(shè)備,就臺廠能力來說,還難以追上國際腳步。目前臺灣投入薄膜設(shè)備開發(fā)的包括均豪、盟立、志圣、廣運(yùn)、富臨、帆宣、北儒等。
設(shè)備業(yè)者指出,在薄膜設(shè)備中,核心的化學(xué)氣象沉積(PECVD)占整廠設(shè)備成本約6成,因此也被視為薄膜設(shè)備的成功關(guān)鍵,然而臺廠欠缺相關(guān)技術(shù),現(xiàn)階段需購買國外設(shè)備來組裝,或與國外技轉(zhuǎn),至于能開發(fā)PECVD之業(yè)者,大多有簽訂代工協(xié)議,不能自營銷售。
至于在CIGS部分,牽涉多種化學(xué)原料,加上有毒性,不論采用蒸鍍或?yàn)R鍍制程,都有其困難之處,尤其國際上的量產(chǎn)實(shí)績并不多,技術(shù)還算不上成熟,因此開發(fā)難度更甚于非晶硅。
臺系設(shè)備業(yè)者指出,非晶硅目前尚有轉(zhuǎn)換效率需克服,至于CIGS轉(zhuǎn)換效率較高,然而爭議多,未來何者會成為主流,其實(shí)都尚難看出來,不過預(yù)期非晶硅薄膜設(shè)備需求將會先復(fù)蘇,至于CIGS則還需一段時(shí)間。
業(yè)內(nèi)高層認(rèn)為,薄膜太陽能領(lǐng)域的投入方式,不是靠以往在面板產(chǎn)業(yè)的經(jīng)驗(yàn)就能成功,臺廠若仍以外圍設(shè)備為利基點(diǎn),恐怕很容易為大陸同業(yè)取代。尤其美加設(shè)備廠各有其長才,若能互相結(jié)合,共同開發(fā),將有助于加速發(fā)展腳步。
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