臺(tái)設(shè)備廠切入薄膜太陽能　非晶硅與CIGS為主流

　　臺(tái)系設(shè)備廠切入薄膜太陽能領(lǐng)域，目前主要以非晶硅及銅銦鎵硒(CIGS)領(lǐng)域?yàn)橹?，臺(tái)系設(shè)備業(yè)者指出，由于開發(fā)薄膜太陽能設(shè)備成功關(guān)鍵在于制程設(shè)備，其與半導(dǎo)體制程類似，為臺(tái)系業(yè)者欠缺之技術(shù)，開發(fā)難度遠(yuǎn)較先期預(yù)期來的高，恐怕未來能在薄膜設(shè)備領(lǐng)域成功者僅少數(shù)。

　　臺(tái)系設(shè)備業(yè)者指出，目前切入薄膜太陽能設(shè)備者主流為非晶硅與CIGS兩大領(lǐng)域，多數(shù)大廠皆朝向開發(fā)Turnkey Solution，不過其中關(guān)鍵制程設(shè)備，就臺(tái)廠能力來說，還難以追上國際腳步。目前臺(tái)灣投入薄膜設(shè)備開發(fā)的包括均豪、盟立、志圣、廣運(yùn)、富臨、帆宣、北儒等。

　　設(shè)備業(yè)者指出，在薄膜設(shè)備中，核心的化學(xué)氣象沉積(PECVD)占整廠設(shè)備成本約6成，因此也被視為薄膜設(shè)備的成功關(guān)鍵，然而臺(tái)廠欠缺相關(guān)技術(shù)，現(xiàn)階段需購買國外設(shè)備來組裝，或與國外技轉(zhuǎn)，至于能開發(fā)PECVD之業(yè)者，大多有簽訂代工協(xié)議，不能自營銷售。

　　至于在CIGS部分，牽涉多種化學(xué)原料，加上有毒性，不論采用蒸鍍或?yàn)R鍍制程，都有其困難之處，尤其國際上的量產(chǎn)實(shí)績并不多，技術(shù)還算不上成熟，因此開發(fā)難度更甚于非晶硅。

　　臺(tái)系設(shè)備業(yè)者指出，非晶硅目前尚有轉(zhuǎn)換效率需克服，至于CIGS轉(zhuǎn)換效率較高，然而爭議多，未來何者會(huì)成為主流，其實(shí)都尚難看出來，不過預(yù)期非晶硅薄膜設(shè)備需求將會(huì)先復(fù)蘇，至于CIGS則還需一段時(shí)間。

　　業(yè)內(nèi)高層認(rèn)為，薄膜太陽能領(lǐng)域的投入方式，不是靠以往在面板產(chǎn)業(yè)的經(jīng)驗(yàn)就能成功，臺(tái)廠若仍以外圍設(shè)備為利基點(diǎn)，恐怕很容易為大陸同業(yè)取代。尤其美加設(shè)備廠各有其長才，若能互相結(jié)合，共同開發(fā)，將有助于加速發(fā)展腳步。