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Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件

作者: 時間:2009-07-06 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  公司推出新型器件,它采用SO8封裝,包含一對互補100V增強式,性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。適用于H橋電路,應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/95961.htm

   亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出:“這個N通道和P通道組合的能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件,有助減省電路板空間及元件數(shù)目,同時簡化柵極驅動電路設計。比方說,SO8充分發(fā)揮了節(jié)省空間的功能,其占位面積只有31 mm2,僅為兩個SOT223 的30%。”

  最新雙器件封裝內的N與P通道MOSFET,可在10V柵極電壓 (VGS) 下實現(xiàn)極低的柵極電荷,典型導通電阻 (RDS(ON)) 分別為230m? 和235m?,確保開關及導通損耗保持在最低水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。



關鍵詞: Diodes MOSFET ZXMC10A816

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