ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)
意法半導(dǎo)體和法國(guó)電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室CEA-LETI宣布,法國(guó)經(jīng)濟(jì)、工業(yè)和就業(yè)部長(zhǎng),以及國(guó)家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層,齊聚法國(guó)格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司,共同慶祝Nano2012研發(fā)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴,與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/96574.htmNano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國(guó)家/私營(yíng)戰(zhàn)略研發(fā)項(xiàng)目,聚集研究院和工業(yè)合作伙伴,得到法國(guó)國(guó)家、地區(qū)和本地政府的財(cái)政支持,旨在于創(chuàng)建世界最先進(jìn)的研發(fā)集群,開發(fā)新一代納電子級(jí)別的半導(dǎo)體技術(shù),用于制造結(jié)構(gòu)尺寸大約為幾十納米(1納米等于十億分之一米)的芯片。
通過為歐洲企業(yè)提供從32nm一直到22nm的最先進(jìn)的具有競(jìng)爭(zhēng)力的CMOS技術(shù),Nano2012合作項(xiàng)目以及其它的世界領(lǐng)先的合作項(xiàng)目(如CATRENE)將對(duì)歐洲電子工業(yè)的持續(xù)增長(zhǎng)做出重大貢獻(xiàn)。Nano2012項(xiàng)目始于2008年1月1日,預(yù)定到2012年12月31日告一段落,法國(guó)政府機(jī)構(gòu)為這個(gè)五年期項(xiàng)目提供部分資金。這個(gè)項(xiàng)目還有其它的參與者,包括INRIA(法國(guó)國(guó)家計(jì)算機(jī)科學(xué)與控制研究院)、CNRS(國(guó)家科研中心)、大學(xué)和多家中小企業(yè)。
意法半導(dǎo)體和CEA-LETI有很長(zhǎng)的研發(fā)合作歷史。1992年,雙方首次合作建立Crolles研發(fā)中心。作為領(lǐng)先的研究實(shí)驗(yàn)室,CEA-LETI是學(xué)術(shù)研究與以市場(chǎng)為導(dǎo)向的意法半導(dǎo)體工業(yè)研發(fā)之間長(zhǎng)期的重要交流橋梁。2007年7月,意法半導(dǎo)體加入以IBM公司在紐約East Fishkill和 Albany的兩個(gè)研發(fā)中心為核心的半導(dǎo)體合作開發(fā)聯(lián)盟,這兩個(gè)中心開發(fā)32到 22nm的低功耗CMOS核心制程。同時(shí)IBM加盟意法半導(dǎo)體的Crolles研發(fā)中心,開發(fā)增值專用CMOS衍生技術(shù)。此外,在CMOS技術(shù)所需的材料和制程開發(fā)方面,CEA-LETI和IBM具有強(qiáng)大的實(shí)力和互補(bǔ)性的專業(yè)知識(shí),雙方在CEA-LETI的格勒諾布爾(法國(guó))分公司、IBM的 East Fishkill工廠(紐約)、意法半導(dǎo)體的 Crolles分公司(法國(guó))以及Albany NanoTech研究中心(紐約)合作開發(fā) 22nm以及22nm以下的先進(jìn)制程。
自Nano2012項(xiàng)目于2008年1月啟動(dòng)以來,意法半導(dǎo)體和IBM交換Crolles和East Fishkill兩地的研究人員,并在多個(gè)項(xiàng)目上與CEA-LETI的研究人員開展合作,包括32nm和28 nm CMOS核心制程和無線通信用45nm RF(射頻)衍生技術(shù),和汽車電子與智能卡用65nm非易失性存儲(chǔ)器衍生技術(shù)。這些技術(shù)可降低現(xiàn)有通信設(shè)備、消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)和汽車電子的功耗,延長(zhǎng)電池使用時(shí)間,提高性能,為終端用戶提供更多功能和實(shí)用性。
Nano2012項(xiàng)目的工作重點(diǎn)是為低功耗的專用CMOS衍生技術(shù)開發(fā)技術(shù)平臺(tái)。一個(gè)技術(shù)平臺(tái)包括把數(shù)十億支晶體管集成到一顆芯片內(nèi)所采用的制程,以及單元庫(kù)和利用這個(gè)制程高效設(shè)計(jì)尖端電路的設(shè)計(jì)方法。利用在Crolles和格勒諾布爾的世界一流的研發(fā)團(tuán)隊(duì),意法半導(dǎo)體及合作伙伴已位居這個(gè)領(lǐng)域的世界前列,Nano2012的重要目標(biāo)之一是擴(kuò)大歐洲在此一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
增值專用衍生技術(shù)是標(biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的重要差異化技術(shù),使位于Grenoble-Isere的研發(fā)集群在這個(gè)領(lǐng)域保持領(lǐng)先水平是Nano2012項(xiàng)目的另一重要目標(biāo)。
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