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華虹NEC 非外延0.35um BCD工藝進入量產

作者: 時間:2009-08-24 來源:SEMI 收藏

  世界領先的純晶圓代工廠之一,上海電子有限公司(以下簡稱“”)19日宣布,公司非外延0.35um BCD工藝開始進入量產。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/97425.htm

  在2008年成功研發(fā)并量產了 (0.35 微米Bipolar CMOS DMOS)工藝。針對市場的不同需求,華虹NEC現(xiàn)又推出了非外延工藝的 0.35um BCD工藝,即PMU350工藝。PMU350在的基礎上用deep Nwell替代了外延層,并簡化了工藝流程,使該工藝更具競爭力。目前,PMU350工藝已經順利通過了產品驗證,進入量產。

  華虹NEC PMU350工藝主要面向、、等領域,該工藝的標準配置包括3.3V/5V的CMOS,12V/18V/30V/40V的LDMOS以及垂直的NPN和水平的PNP雙極管。此工藝同時還提供高精度的電阻、高密度的電容及一次性可編程器等多種器件以方便客戶選用,是LED驅動芯片、AC-DC轉換器、DC-DC轉換器、電池保護和充電保護芯片的最佳工藝選擇之一。

  華虹NEC總裁兼CEO邱慈云博士表示,PMU350工藝的成功量產,將為客戶提供更多的工藝選擇。為了持續(xù)不斷地在該平臺上推出下一代工藝來滿足客戶需求,華虹NEC已經在開發(fā)0.18微米 BCD技術平臺,以期為客戶的和SOC芯片提供更高端的技術,填補大陸代工市場的空白,成為BCD領域的領航者!



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