圖3. 不同柵極偏壓下測得的噪聲數(shù)據(jù)
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/97638.htm
為了分析柵氧電容相關(guān)性或進(jìn)行其他進(jìn)一步的研究，我們還測量了不同柵氧厚度下的1/f噪聲。圖4給出了不同柵氧厚度下的測試結(jié)果。
圖4. 不同柵氧厚度下pMOS器件的1/f噪聲測量數(shù)據(jù)
然后，我們就可以估算出1/f噪聲參數(shù)，建立不同的模擬模型。圖5給出了在一個p溝道MOSFET的強(qiáng)反型區(qū)中測得的漏極電流噪聲功率。
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