三星看好PCM內(nèi)存潛力 有望取代NAND和NOR閃存

　　三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式.

　　多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗(yàn)階段.PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會發(fā)生改變,晶體的變化對應(yīng)計(jì)算上的0,1狀態(tài),從而可以用于數(shù)據(jù)存儲.

　　一直以來,包括英特爾和英飛凌在內(nèi)的很多公司都在從PCM的研發(fā),他們試圖將這種存儲器的體積減小,增存儲加速度與容量.支持PCM的人士認(rèn)為,PCM最終可能取代NAND和NOR閃存.

　　三星半導(dǎo)體公司的技術(shù)營銷經(jīng)理Harry Yoon認(rèn)為,PCM最早將被應(yīng)用于手機(jī)等移動設(shè)備當(dāng)中,它可以節(jié)省30%的耗電.

　　三星已經(jīng)開始制造512Mb的PCM內(nèi)存,三星將根據(jù)需求提高其產(chǎn)量.

　　分析師們認(rèn)為,盡管PCM內(nèi)存的研究取得了不小進(jìn)步,但這種內(nèi)存仍然處于研究階段,要想取代現(xiàn)有的內(nèi)存形式尚需多年時(shí)間.Objective Analysis研究機(jī)構(gòu)的分析師Jim Handy表示,PCM內(nèi)存取代現(xiàn)有的移動設(shè)備存儲需要多年時(shí)間.

　　Handy還表示,PCM內(nèi)存的制造在一定的工藝下會變得可行,目前,內(nèi)存制程為34納米水平,PCM內(nèi)存制造需要將工藝制程降至10到12納米水平.

　　分析師們表示,PCM內(nèi)存可能取代現(xiàn)有移動設(shè)備當(dāng)中的NOR閃存.Forward Insights公司分析師Gregory Wong說,和NOR閃存相比,PCM內(nèi)存的數(shù)據(jù)訪問速度更快,耐受性更好.與現(xiàn)有的內(nèi)存相比,PCM可以極大節(jié)省耗電.

　　PCM要想擠掉NAND,價(jià)格是一大障礙.

　　東芝最近表示,自己可以用10納米制程生產(chǎn)NAND閃存.在芯片體積上,NAND與PCM有得一拼.不過,NAND也有發(fā)展極限,到那時(shí),PCM內(nèi)存可能大行其道.

　　短期來看,PCM還需要克服研發(fā)以及成本的障礙.

　　不過,分析師認(rèn)為,三星宣布制造PCM內(nèi)存是一個(gè)里程碑式的事件.Handy說:“PCM內(nèi)存由此步入大規(guī)模生產(chǎn)階段.”

　　英特爾和STMicroelectronics成立了Numonyx合資公司,該公司也開始PCM設(shè)備的商業(yè)發(fā)售.三星和Numonyx今年初宣布,他們將聯(lián)合制定PCM規(guī)范.

　　除了PCM,業(yè)界還在開發(fā)其它內(nèi)存技術(shù),包括MRAM(磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存)以及RRAM(非揮發(fā)性阻抗存儲器).