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面向新基建的GaN技術(shù)
- 新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導(dǎo)體電源設(shè)計提出了各種挑戰(zhàn)。其中最大的挑戰(zhàn)之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰(zhàn)是如何幫助設(shè)計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細(xì)信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車市場的各類應(yīng)用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅(qū)動器和保護功能，可提供優(yōu)異的開關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應(yīng)用于交流/直流電源和電機驅(qū)動器、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車
- 關(guān)鍵字： OBC GaN 202009
電源設(shè)計，進(jìn)無止境
- 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發(fā)新的工藝、封裝和電路設(shè)計技術(shù)，從而為您的應(yīng)用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰(zhàn)。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更大的功率，從而以更低的系統(tǒng)成本增強系統(tǒng)功能2? ?低 IQ在不影響
- 關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM
e絡(luò)盟發(fā)布新一期人工智能電子書，激發(fā)廣大讀者創(chuàng)新應(yīng)用開發(fā)熱情
- 全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟 新近發(fā)布名為《AIoT時代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開發(fā)并開拓出更多新型市場應(yīng)用。本冊電子書匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
- 關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN
GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)洹aN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導(dǎo)體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預(yù)測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
助力新基建，安世半導(dǎo)體升級GaN產(chǎn)品線
- 近日，安世半導(dǎo)體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應(yīng)用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。 日前，安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細(xì)解析了安世半導(dǎo)體的GaN FET藍(lán)圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導(dǎo)體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
- 關(guān)鍵字： 安世半導(dǎo)體 GaN
Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
- 關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品
- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷商，貿(mào)澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應(yīng)用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商，致力于實現(xiàn)一個萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
- 關(guān)鍵字： MMIC GaN
學(xué)習(xí)采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設(shè)計最先進(jìn)的人工智能、機械人、無人機、 全自動駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)
- EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應(yīng)用，包括面向人工智能的高功率密度運算應(yīng)用，面向機械人、無人機及車載應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng)，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個視頻主要分享實用范例，目的是幫助設(shè)計師利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉(zhuǎn)換器?、
- 關(guān)鍵字： GaN 音頻放大器
EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵（GaN）功率晶體管及集成電路的播客系列
- 日前，宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計基礎(chǔ)及應(yīng)用，例如激光雷達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
- 關(guān)鍵字： GaN 播客
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設(shè)計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
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