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物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商？

  • 未來(lái)虛擬現(xiàn)實(shí)和智能汽車(chē)成為焦點(diǎn)，VR將會(huì)引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話(huà)題，VR也必會(huì)給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)變革，而對(duì)于IoT可能帶來(lái)的更多變化，半導(dǎo)體廠商該如何應(yīng)對(duì)?
  • 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng)  GaN  

第三代半導(dǎo)體崛起 中國(guó)照明能否彎道超車(chē)？

  • 　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點(diǎn)，中國(guó)也不例外地快馬加鞭進(jìn)行部署。有專(zhuān)家指出，第三代半導(dǎo)體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類(lèi)信息化社會(huì)發(fā)展的基石，是推動(dòng)節(jié)能減排、轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式，提升新一代信息技術(shù)核心競(jìng)爭(zhēng)力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導(dǎo)體材料，能否讓中國(guó)掌控新一輪半導(dǎo)體照明發(fā)展的話(huà)語(yǔ)權(quán)? 　　   　　第三代半導(dǎo)體材料雙雄：SiC和GaN 　　半
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  GaN  

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)未來(lái)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運(yùn)作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對(duì)于電動(dòng)車(chē)、油電混合車(chē)、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對(duì)于新一代的行動(dòng)通訊基地臺(tái)，或資料中心機(jī)房設(shè)備而言
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  

硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用

  • 　　硅基GaN潛力大 　　近日，MACOM在京召開(kāi)新聞發(fā)布會(huì)，MACOM全球銷(xiāo)售高級(jí)副總裁黃東鉉語(yǔ)出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場(chǎng)。” 　　圖1 GaN的巨大潛力 　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場(chǎng)份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場(chǎng)，而未來(lái)潛在GaN射頻是占絕大部分的藍(lán)海。
  • 關(guān)鍵字： GaAs  GaN  

實(shí)時(shí)功率GaN波形監(jiān)視的設(shè)計(jì)方案

  • 　　簡(jiǎn)介 　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動(dòng)的新成員。特別是對(duì)于那些想要深入研究GaN的較高開(kāi)關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對(duì)于硅材料所具有的優(yōu)勢(shì)，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。 　　使用壽命預(yù)測(cè)指標(biāo) 　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執(zhí)行數(shù)個(gè)供貨商所使
  • 關(guān)鍵字： GaN  

氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來(lái)選擇

  • 　　當(dāng)人們思考電力電子應(yīng)用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料時(shí)，都會(huì)不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因?yàn)榈壔蛱蓟枋请娏﹄娮討?yīng)用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報(bào)告中指出，電力電子應(yīng)用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 　　   　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(zhǎng)至1.1億美元 　　由碳化硅電力設(shè)備市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，n型碳化硅基
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  

氮化鎵元件將擴(kuò)展功率應(yīng)用市場(chǎng)

  • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競(jìng)爭(zhēng)或并購(gòu)壓力。 　　Yole估計(jì)，2015年GaN在功率半導(dǎo)體應(yīng)用的全球市場(chǎng)規(guī)模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)將以93%的年復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)可望達(dá)到3千萬(wàn)美元的產(chǎn)值。 　　目前銷(xiāo)售Ga
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  GaN  

EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道

  • 　　根據(jù)Yole Development預(yù)測(cè)，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現(xiàn)更高功率。 　　在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動(dòng)電力電子應(yīng)用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報(bào)告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預(yù)期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動(dòng)Si
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

高精度的功率轉(zhuǎn)換效率測(cè)量

  • 　　目前，電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)馬達(dá)的可變速馬達(dá)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因?yàn)槭褂昧艘缘碗娮?、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器，其應(yīng)用系統(tǒng)的普及正在不斷加速。構(gòu)成這些系統(tǒng)的變頻器·轉(zhuǎn)換器·馬達(dá)等裝置的開(kāi)發(fā)與測(cè)試則需要相較以前有著更高精度、更寬頻帶、更高穩(wěn)定性的能夠迅速測(cè)量損耗和效率的測(cè)量系統(tǒng)。 　　各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測(cè)量，利用它們的差和比
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  電流傳感器  

GaN技術(shù)和潛在的EMI影響

  • 　　1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機(jī)會(huì)聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專(zhuān)題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測(cè)量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
  • 關(guān)鍵字： GaN  EMI  

英飛凌攜高能效增強(qiáng)模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺(tái)組合亮相2015年應(yīng)用電力電子會(huì)議暨展覽會(huì)（APEC）

  • 　　英飛凌科技股份公司今日宣布擴(kuò)充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專(zhuān)為要求超高能效的高性能設(shè)備而優(yōu)化的增強(qiáng)模式和級(jí)聯(lián)模式GaN平臺(tái)，包括服務(wù)器、電信設(shè)備、移動(dòng)電源等開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用以及諸如Class D音頻系統(tǒng)的消費(fèi)電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機(jī)等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開(kāi)辟新的機(jī)會(huì)。 　　英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結(jié)合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

  • 　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級(jí)原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 　　全新的LMG5200 GaN FET功率級(jí)原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。 　　TI高壓電源
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件

  • 　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。 　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
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英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN技術(shù)

  • 　英飛凌和松下聯(lián)合開(kāi)發(fā)GaN器件，將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
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