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物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導(dǎo)體芯片廠商?

作者: 時間:2016-01-22 來源:電子工程網(wǎng) 收藏
編者按:未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點,VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題,VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革,而對于IoT可能帶來的更多變化,半導(dǎo)體廠商該如何應(yīng)對?

  由EEVIA主辦的第五屆年度ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術(shù)趨勢展望研討會在深圳舉行,在會上,眾多知名芯片廠商大咖對市場進行了預(yù)測,同時探討了進程中IC設(shè)計廠商所面臨的挑戰(zhàn)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/201601/286122.htm

  與SiC的差價將變小

  IC設(shè)計對于整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)非常重要,半導(dǎo)體材料則能影響整個半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展先后經(jīng)歷了以硅(Si)為代表的第一代半導(dǎo)體材料,以砷化鎵(GaAs)為代表的第二代半導(dǎo)體材料。如今,以氮化鎵()、碳化硅(SiC)、氧化鋅、金剛石、氮化鋁為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料以更大的優(yōu)勢力壓第一、二代半導(dǎo)體材料成為佼佼者,統(tǒng)稱第三代半導(dǎo)體材料。對于目前較為成熟的氮化鎵()、碳化硅(SiC) ,富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理蔡振宇給出了他的理解。

  他認(rèn)為,SiC與GaN兩種材料都具備良好的開關(guān)特性以及適用于高壓應(yīng)用,GaN在導(dǎo)通電壓、反向截止、載流子等方面的特性優(yōu)于Si和SiC,Cascode Structure GaN-HEMT器件不僅能夠方便的使用,在性能上也比Cool Mos有較大的改進。具體的應(yīng)用到產(chǎn)品中,GaN器件產(chǎn)品相比SiC器件產(chǎn)品能夠在尺寸、重量以及性能上都有一定幅度的提升。不過,目前GaN產(chǎn)品的價格偏高制約其廣泛應(yīng)用,蔡振宇表示:“隨著生產(chǎn)工藝的成熟以及市場需求的增大,未來幾年GaN與SiC的差價將會微乎其微。”

  網(wǎng)絡(luò)連接與傳感器的改變

  在對的分析上,Cypress半導(dǎo)體模擬芯片產(chǎn)品經(jīng)理李東東說:“物聯(lián)網(wǎng)最為核心的就是網(wǎng)絡(luò)連接與傳感器。”網(wǎng)絡(luò)連接方面,Qorvo移動產(chǎn)品市場戰(zhàn)略部亞太區(qū)經(jīng)理陶鎮(zhèn)分享了他的觀點,隨著移動設(shè)備數(shù)量的增多以及消費者對于網(wǎng)速需求的提高,射頻器件的需求量在迅速增加,其在智能手機成本的比重也在上升,相應(yīng)器件的復(fù)雜程度也隨之增大。

  陶鎮(zhèn)說:“為了提高網(wǎng)絡(luò)速率,一方面需要改變網(wǎng)絡(luò)制式,另一方面則要增加載波數(shù)來提高帶寬,這兩方面的改變也將大大提高對RF器件的要求,傳統(tǒng)的分立的半導(dǎo)體器件已經(jīng)難以適應(yīng)未來的需求。因此最佳的解決方案就是集成化?!标P(guān)于5G,他表示6GHz將會作為分界點,用6GHz以下做廣域覆蓋,6GHz以上做熱點覆蓋,Qorovo將會關(guān)注頻譜以及上行和下行的調(diào)制解調(diào)方式來推出集成化的最佳解決方案。

  傳感器作為物聯(lián)網(wǎng)的另一大核心,ADI亞太區(qū)微機電產(chǎn)品市場和應(yīng)用經(jīng)理趙延輝表示:“物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展離不開各種各樣的傳感器,它們是將自然界中的信號轉(zhuǎn)換成電信號的第一步,而后才是各種各樣的后處理及組網(wǎng)方式?!?/p>

  數(shù)據(jù)顯示,醫(yī)療MEMS傳感器未來幾年將會迎來最大幅度的增長,可穿戴設(shè)備也是驅(qū)動市場增長的主要動力。目前可穿戴設(shè)備的麥克風(fēng)、氣壓計、陀螺儀等都使用了MEMS傳感器。在汽車、家電、智能手機、可穿戴設(shè)備之后,MEMS將有非常巨大的市場。但MEMS同樣面臨挑戰(zhàn),趙延輝表示:“更低的功率、更小的尺寸和厚度以及更高的集成度都是挑戰(zhàn),但ADI的產(chǎn)品在功率、準(zhǔn)確性、小尺寸方面都有明顯的優(yōu)勢,知名的小米手環(huán)就采用了ADI MEMS?!?/p>

  低功耗與無線充電

  低功率不僅是MEMS設(shè)計的一大個挑戰(zhàn),也是移動設(shè)備都面臨的挑戰(zhàn)。低功率的最大目的是為了能夠讓移動設(shè)備能夠在保證輕薄化的基礎(chǔ)上有更長時間的續(xù)航來提升產(chǎn)品體驗。除了從功耗入手,能夠擁有更加方便快捷的充電方式是另一種解決思路。


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