英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

近年來，隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長，半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費(fèi)電子、電動汽車、可再生能源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場地位。

近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計算與通訊業(yè)務(wù)高級首席工程師宋清亮先生，向EEPW介紹了英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域的最新技術(shù)成果與新品，并分享其收購GaN Systems公司后帶來的積極作用。

CoolGaN?技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用

氮化鎵材料以其卓越的開關(guān)速度、超低導(dǎo)通阻抗以及高度集成設(shè)計，正引領(lǐng)著電子技術(shù)的革新。氮化鎵器件能夠輕松應(yīng)對高頻工作環(huán)境，顯著減小了被動元器件和散熱器的尺寸，從而降低了系統(tǒng)成本。同時，其單位面積導(dǎo)通阻抗遠(yuǎn)低于硅器件，在相同功率下減少了熱量產(chǎn)生，提高了系統(tǒng)的能效比。

自2023年10月成功收購GaN Systems以來，英飛凌的氮化鎵產(chǎn)品線得到了顯著擴(kuò)展。從原來的兩種產(chǎn)品——分立式功率器件（Discrete Power）和集成式功率器件（Integrated Power），擴(kuò)展至五種創(chuàng)新產(chǎn)品，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。新一代CoolGaN?半導(dǎo)體器件系列，專為高壓（HV）與中壓（MV）應(yīng)用精心打造，極大地拓寬了氮化鎵（GaN）技術(shù)的應(yīng)用邊界，覆蓋40V至700V的廣泛電壓范圍，加速推動了行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型與低碳環(huán)保進(jìn)程。

CoolGaN? Transistor系列涵蓋高壓與中壓多樣產(chǎn)品，專注增強(qiáng)型器件，融合電壓與電流型驅(qū)動技術(shù)，得益于GaN Systems收購，實(shí)現(xiàn)技術(shù)全面整合。所有氮化鎵器件均為貼片封裝，確保最小封裝集成參數(shù)，展現(xiàn)高速特性優(yōu)勢。

CoolGaN? BDS作為創(chuàng)新亮點(diǎn)，提供理想雙向開關(guān)解決方案，解決傳統(tǒng)MOS管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)限制，實(shí)現(xiàn)單顆器件雙邊可控，開關(guān)迅速，引領(lǐng)技術(shù)變革。該產(chǎn)品雖未上市，但預(yù)期將受市場熱烈反響，適用于電池保護(hù)、大功率電池管理、電動工具及儲能光伏等高壓雙向開關(guān)需求場景。

CoolGaN? Smart Sense引入溝槽電流檢測技術(shù)，通過內(nèi)部溝槽采樣電流，實(shí)現(xiàn)高精度電流監(jiān)控，避免外部電阻損耗及高速開關(guān)下的雜訊問題，提升系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。

針對市場長期存在的門極驅(qū)動難題，CoolGaN? Drive提供集成化解決方案，簡化設(shè)計，確保高效穩(wěn)定驅(qū)動。該方案兼容原有硅器件驅(qū)動電壓，無需調(diào)整偏置電壓，實(shí)現(xiàn)無縫替換與升級，提升用戶體驗(yàn)。

收購GaN Systems讓英飛凌更飽滿

通過此次產(chǎn)品系列的推出，英飛凌旨在進(jìn)一步強(qiáng)化CoolGaN?的品牌優(yōu)勢，并顯著提升其在全球GaN器件市場供應(yīng)鏈中的穩(wěn)定供應(yīng)能力。依托英飛凌自主研發(fā)的8英寸晶圓工藝精心制造，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能提升上的堅(jiān)定承諾。根據(jù)Yole Group的權(quán)威預(yù)測，GaN器件市場將迎來前所未有的增長機(jī)遇，預(yù)計未來五年將以驚人的46%年復(fù)合增長率持續(xù)擴(kuò)張，而英飛凌正站在這一行業(yè)變革的前沿，引領(lǐng)未來。

通過收購GaN Systems，英飛凌不僅獲得了GaN Systems豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)專利，還極大地豐富了自身的物料品類。這使得英飛凌能夠?yàn)榭蛻籼峁└尤?、多樣的氮化鎵解決方案，滿足不同行業(yè)、不同應(yīng)用場景的需求。同時，英飛凌的IP儲量也因此得到了顯著提升，為其在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

程文濤表示，GaN Systems在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累為英飛凌打開了新的技術(shù)研發(fā)思路。雙方研發(fā)資源的整合和應(yīng)用人員的協(xié)作，產(chǎn)生了許多思想上的碰撞和靈感火花。雙方的技術(shù)交流與合作，促進(jìn)了英飛凌在氮化鎵技術(shù)上的不斷突破和創(chuàng)新。例如，英飛凌在收購后推出的CoolGaN系列新產(chǎn)品，就是雙方技術(shù)融合與創(chuàng)新的成果體現(xiàn)。一方面，雙方研發(fā)團(tuán)隊(duì)的合并使得英飛凌在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)力量得到了加強(qiáng)；另一方面，GaN Systems在市場推廣方面的經(jīng)驗(yàn)和資源也為英飛凌提供了新的助力。這使得英飛凌能夠更快地推出符合市場需求的新產(chǎn)品，并迅速占領(lǐng)市場先機(jī)。

技術(shù)與市場的雙重優(yōu)勢

英飛凌對GaN Systems的收購，無疑是其在氮化鎵領(lǐng)域的一次重要布局。GaN Systems作為氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，擁有15年的技術(shù)積累和豐富的市場經(jīng)驗(yàn)。通過此次收購，英飛凌不僅獲得了GaN Systems在氮化鎵器件和模塊方面的專利技術(shù)和專業(yè)知識，還進(jìn)一步豐富了其產(chǎn)品線，提高了在氮化鎵領(lǐng)域的競爭力。

GaN Systems在大功率應(yīng)用和封裝方面的專長，與英飛凌在半導(dǎo)體制造和系統(tǒng)集成方面的優(yōu)勢形成了良好的互補(bǔ)。例如，GaN Systems的嵌入式芯片封裝技術(shù)，通過去除焊線，實(shí)現(xiàn)了極低的電感，有利于GaN開關(guān)的快速開關(guān)速度。這種技術(shù)結(jié)合英飛凌在制造工藝和封裝技術(shù)方面的積累，將進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能和可靠性。