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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動(dòng)器提高汽車(chē)的燃油效率

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車(chē)應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動(dòng)器在高邊和橋驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對(duì)比240µA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
關(guān)鍵字： Fairchild 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET IGBT

電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)大有盼頭

盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國(guó)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)在經(jīng)歷了多年的快速增長(zhǎng)之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國(guó)家政策刺激拉動(dòng)整機(jī)設(shè)備制造保持增長(zhǎng)，今后兩年中國(guó)的市場(chǎng)需求整體也將繼續(xù)較快增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
關(guān)鍵字：電源管理節(jié)能 IGBT MOSFET 數(shù)字電源穩(wěn)壓器 200903

高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡(jiǎn)化汽車(chē)、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量

許多電子設(shè)計(jì)應(yīng)用要求的激勵(lì)源幅度超出了當(dāng)前市場(chǎng)上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用，如汽車(chē)電子系統(tǒng)和開(kāi)關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測(cè)器使用的放大器，以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號(hào)的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應(yīng)用，說(shuō)明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：泰克 MOSFET IGBT 200903

CPLD在IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

隨著國(guó)民經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，變頻調(diào)速裝置的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。如何打破國(guó)外產(chǎn)品的壟斷，已成為一個(gè)嚴(yán)肅的課題擺在我國(guó)工程技術(shù)人員的面前。

在某型號(hào)大功率變頻調(diào)速裝置中，由于裝置的尺寸較大，考慮到結(jié)構(gòu)
關(guān)鍵字： CPLD IGBT 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 中的應(yīng)用

STY112N65M5：ST太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

產(chǎn)品特性：耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A） STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）采用了改進(jìn)Super Junction結(jié)構(gòu) 應(yīng)用范圍：太陽(yáng)能電池功率調(diào)節(jié)器
關(guān)鍵字：意法 MOSFET IGBT

家電下鄉(xiāng)全國(guó)推廣半導(dǎo)體市場(chǎng)需求放大

　　經(jīng)過(guò)一年多的試點(diǎn)，我國(guó)家電下鄉(xiāng)工作已全面鋪開(kāi)，從2009年2月1日起，家電下鄉(xiāng)工作從12個(gè)省、自治區(qū)、直轄市向全國(guó)推廣。新形勢(shì)下，在全國(guó)范圍內(nèi)推廣家電下鄉(xiāng)對(duì)于擴(kuò)大內(nèi)需、保持經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)較快增長(zhǎng)具有重要意義。作為家電產(chǎn)品不可或缺的零部件，半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)需求也將同步放大，家電下鄉(xiāng)政策為我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)提供了發(fā)展機(jī)遇。分立器件和低端IC首先獲益　　從2007年12月開(kāi)始，我國(guó)在山東、河南、四川三省進(jìn)行了家電下鄉(xiāng)試點(diǎn)工作，對(duì)彩電、冰箱(含冰柜)、手機(jī)三大類(lèi)產(chǎn)品給予產(chǎn)品銷(xiāo)售價(jià)格13%的財(cái)政資金直
關(guān)鍵字：家電下鄉(xiāng) 分立器件 IGBT 節(jié)能

英飛凌擴(kuò)大面向可再生能源和傳統(tǒng)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的功率模塊生產(chǎn)

　　英飛凌科技股份公司在其位于德國(guó)慕尼黑Neubiberg的總部宣布，該公司正在擴(kuò)建其位于匈牙利Cegléd的生產(chǎn)工廠，以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的對(duì)于可再生能源和傳統(tǒng)系統(tǒng)的需求。從現(xiàn)在開(kāi)始到2012年，公司將投資近1,700萬(wàn)歐元用于建造廠房和購(gòu)買(mǎi)制造設(shè)備。英飛凌今天與匈牙利經(jīng)濟(jì)部的代表簽訂了協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，匈牙利經(jīng)濟(jì)部將為該項(xiàng)目融資140萬(wàn)歐元。　　Cegléd工廠主要生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊，這種功率模塊是風(fēng)輪機(jī)和光伏系統(tǒng)太陽(yáng)能逆變器以及機(jī)車(chē)驅(qū)動(dòng)裝置、有軌電車(chē)、制造工廠、扶梯和電梯使用
關(guān)鍵字：英飛凌 IGBT 功率半導(dǎo)體

高性能、高能效的IGBT

關(guān)鍵字： IGBT 性能高能效

大功率IGBT驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路研究

摘要：針對(duì)IGBT驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)問(wèn)題，提出了分離元件驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路和模塊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路.文中給出了分離元件驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路和模塊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路,并詳細(xì)分析了兩者的工作原理，指出了它們之間的優(yōu)缺點(diǎn). 關(guān)鍵詞：IGBT；分離元件驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路；模塊驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路　　IGBT因其飽和壓降低和工作頻率高等優(yōu)點(diǎn)而成為大功率開(kāi)關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件，但I(xiàn)GBT和晶閘管一樣，其抗過(guò)載能力不高[1-2].因此，如何設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)電路，使之具有完善的驅(qū)動(dòng)過(guò)流保護(hù)功能，是設(shè)計(jì)者必須考
關(guān)鍵字： IGBT 分離元件驅(qū)動(dòng) 過(guò)流保護(hù)電路

IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法

摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機(jī)模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計(jì)算出電流不平衡、開(kāi)關(guān)損耗及結(jié)溫。關(guān)鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法　　IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問(wèn)題同器件的工藝問(wèn)題一樣是一個(gè)老問(wèn)題了。在試圖回答該問(wèn)題時(shí)，工程師們通常會(huì)很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個(gè)兩難的位置上。過(guò)去，人們針對(duì)該問(wèn)題提出了一些考慮統(tǒng)計(jì)因素的方法，但是到目前為止，仍然沒(méi)有人可以回答這樣的關(guān)鍵問(wèn)題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí)，超出器件限值的概率有多大?，F(xiàn)在，英飛
關(guān)鍵字： IGBT 模塊并聯(lián) 模擬分析方法蒙特卡羅方法 200809

IR 推出適合汽車(chē)應(yīng)用的堅(jiān)固可靠600V IC

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出適合汽車(chē)應(yīng)用的高、中、低壓堅(jiān)固600V單通道高壓端驅(qū)動(dòng)IC AUIRS212xS系列，其應(yīng)用包括通用汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器、高壓執(zhí)行器和低油耗直噴系統(tǒng)。　　AUIRS2123S 和 AUIRS2124S高速功率MOSFET 和IGBT驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，可以提供10V至20V的柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓。輸出驅(qū)動(dòng)器具有適用于最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖過(guò)程，而浮動(dòng)通道可用來(lái)驅(qū)動(dòng)在600V電壓下工作的高壓端配置的N溝道功率MO
關(guān)鍵字： IR 汽車(chē) 驅(qū)動(dòng)器 IGBT

節(jié)能型交流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在電動(dòng)車(chē)中的應(yīng)用

關(guān)鍵字： IGBT DC-DC 電動(dòng)車(chē)

電力電子技術(shù)突顯節(jié)能功效新型器件嶄露頭角

　　發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節(jié)約電能，因此，高效率是我們對(duì)電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子等多個(gè)領(lǐng)域充當(dāng)了節(jié)能的“急先鋒”，而在新能源領(lǐng)域，電力電子器件也是不可或缺的元素。　　電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀(jì)60年代-80年代)主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。而近20年來(lái)，隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車(chē))的蓬勃發(fā)展，電力電子器件的應(yīng)用范圍有了大幅度的擴(kuò)展，其技術(shù)已成為航空、航天、火車(chē)、汽車(chē)、通信
關(guān)鍵字：電力電子 IGBT 新能源節(jié)能

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列，用于開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快，有助于加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開(kāi)關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對(duì)MOSFET開(kāi)關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT

普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器

PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器是基于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ASIC而設(shè)計(jì)的智能型1700V雙路IGBT驅(qū)動(dòng)器，包括邏輯信號(hào)處理的ASIC PSD001，門(mén)極驅(qū)動(dòng)的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號(hào)處理、故障鎖存及處理、短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：普爾盛 IGBT 驅(qū)動(dòng)器