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SK海力士完成與英特爾的最終交割

  • SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預(yù)設(shè)的最早時間點(diǎn)）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的最終交割。隨著交易的完成，將加強(qiáng)SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術(shù)的普及和應(yīng)用，存儲需求正在不斷增長，HBM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者SK海力士卻沒有停止擴(kuò)張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭。· 2020年10月，SK海力士與英特爾達(dá)成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術(shù)

  • 近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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NAND Flash市況 有望6月復(fù)蘇

  • NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預(yù)期，NAND Flash市況將于6月好轉(zhuǎn)，下半年表現(xiàn)將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應(yīng)吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應(yīng)商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強(qiáng)調(diào)，供應(yīng)商根據(jù)市場狀況自然調(diào)節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉(zhuǎn)的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務(wù)部對出口至中國大陸的存儲器制造設(shè)備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領(lǐng)域的擴(kuò)張步伐。盡管中國大陸部分
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稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

  • 據(jù)韓媒報道，三星已確認(rèn)從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達(dá)成合作。據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預(yù)計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)
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鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標(biāo)桿。據(jù)悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構(gòu)。3D堆疊層數(shù)達(dá)到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達(dá)38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實現(xiàn)了33%的NAND接口速度提升，達(dá)到4.8G
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NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

  • 據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計劃。當(dāng)前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應(yīng)商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實驗進(jìn)行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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NAND價格能否“觸底反彈”？

  • 全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應(yīng)對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。
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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關(guān)計劃，可能長期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達(dá)成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅(qū)動：第一，需求疲軟
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應(yīng)對降價：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  • 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強(qiáng)勁，消費(fèi)性訂單未復(fù)蘇

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產(chǎn)業(yè)整體營收達(dá)176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級SSD需求強(qiáng)勁，推升價格季增近15%，消費(fèi)級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

  • 據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

  • 據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導(dǎo)體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預(yù)計出售程序?qū)⒂诿髂暾介_始，銷售的設(shè)備大部分是100級3D NAND設(shè)備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
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消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

  •  10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)
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