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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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美國對中國半導(dǎo)體制裁下：韓國最杯具 半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫存積壓嚴(yán)重

  • 6月25日消息，據(jù)國外媒體報道稱，自從美國對中國實(shí)施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來，韓國最難受，因?yàn)槠浒雽?dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴(yán)重。韓國半導(dǎo)體舊設(shè)備庫存積壓嚴(yán)重，倉儲成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會進(jìn)行一次全面清理，售賣來自美國和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國開始限制對華半導(dǎo)體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來，韓國半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來自美國、歐洲的舊的前段
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整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

  • IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型，進(jìn)一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計相關(guān) IP 朝著這個目標(biāo)邁進(jìn)。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品

  • IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費(fèi)級固態(tài)硬盤領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫性能，預(yù)計將強(qiáng)于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，SK 海力
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片

  • IT之家 5 月 16 日消息，韓國每日經(jīng)濟(jì)新聞報道稱，SK 海力士代工部門啟方半導(dǎo)體（SK Key Foundry）將于今年下半年開始為特斯拉生產(chǎn)電源管理（PMIC）芯片?！?圖源：SK Key Foundry業(yè)內(nèi)人士表示，SK 啟方半導(dǎo)體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動汽車上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導(dǎo)體還在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域與多個全球車企展開合作，近期還通過了博世、大陸集團(tuán)等全球領(lǐng)先汽車零部件公司的生產(chǎn)質(zhì)量審查。半導(dǎo)體
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20％

  • 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因?yàn)榉浅３墒欤暮蛢r格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預(yù)計明年
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SK海力士出售無錫晶圓廠

  • 據(jù)韓媒報道，SK海力士子公司SK海力士系統(tǒng)集成電路（SK Hynix System IC）計劃將其持有的無錫晶圓廠（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股權(quán)，轉(zhuǎn)讓給中國無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司（以下簡稱“無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)”）。報道稱，交易將在今年10月份完成。這一戰(zhàn)略舉措旨在進(jìn)一步加強(qiáng)無錫晶圓廠與中國市場的聯(lián)系，并擴(kuò)大其在中國市場的業(yè)務(wù)布局。據(jù)悉，本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓計劃分為兩個階段。第一階段，SK海力士系統(tǒng)集成電路將以約2054億韓元（約合10.87億元人民幣）的價格
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SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

  • · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比，長期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%

  • 5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩?？恐鎯q價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達(dá)到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達(dá)75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強(qiáng)勁，特別是生
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SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

  • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求的急劇增長，計劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會批準(zhǔn)該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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SK海力士與美國印第安納州簽約先進(jìn)后端工藝領(lǐng)域投資合作

  • 2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進(jìn)封裝生產(chǎn)基地，同時與美國普渡（Purdue）大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C(jī)構(gòu)進(jìn)行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作。公司計劃向該項(xiàng)目投資38.7億美元。當(dāng)?shù)貢r間4月3日，公司與印第安納州、普渡大學(xué)、美國政府有關(guān)人士在位于西拉斐特的普渡大學(xué)舉辦了投資簽約儀式活動，并在此發(fā)表了上述計劃。印第安納州州長埃里克·霍爾科姆（Eric Holcomb）、美國參議員（印第安納州）托德·楊（Todd Young）、白宮科技政策辦公
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SK海力士清算上海公司并轉(zhuǎn)向無錫，重組中國業(yè)務(wù)

  • 由于上海公司的銷售額持續(xù)下降，SK海力士的中國業(yè)務(wù)中心已轉(zhuǎn)移到無錫，因此決定清算上海銷售公司。據(jù)韓媒報道，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士正在重組其在中國的業(yè)務(wù)。報道稱，該公司計劃關(guān)閉成立于2006年的上海公司，并將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到其半導(dǎo)體制造工廠所在地?zé)o錫，作為其在中國的新業(yè)務(wù)中心。據(jù)悉，SK海力士在中國有三家工廠，分別是無錫DRAM廠、大連NAND閃存廠和重慶封裝廠。由于上海公司的銷售額持續(xù)下降，且與無錫的地理位置相近，SK海力士的中國業(yè)務(wù)中心已轉(zhuǎn)移到無錫，因此公司決定清算上海銷售公司，提高效率降低風(fēng)險。
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄

  • 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴(kuò)產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴(kuò)大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計將
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