“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店” 文章 進入“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”技術(shù)社區(qū)
致敬《流浪地球》 復(fù)旦發(fā)布國內(nèi)首個類ChatGPT模型MOSS：未來將開源代碼
- 從復(fù)旦大學(xué)自然語言處理實驗室獲悉，國內(nèi)首個對話式大型語言模型MOSS已由邱錫鵬教授團隊發(fā)布至公開平臺（ https://moss.fastnlp.top/ ），邀公眾參與內(nèi)測。復(fù)旦MOSS公開后，引起不少網(wǎng)友關(guān)注，由于瞬時訪問壓力過大，MOSS服務(wù)器昨晚還被網(wǎng)友擠崩潰了。從MOSS官網(wǎng)獲悉，官方發(fā)布公告稱，團隊最初的想法只是將MOSS進行內(nèi)測，以便進一步優(yōu)化， 沒想到會引起這么大關(guān)注，我們的計算資源不足以支持如此大的訪問量， 并且作為學(xué)術(shù)團隊也沒有相關(guān)工程經(jīng)驗，造成不好的體驗向大家致歉
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) moss 開源 ChatGPT
復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級硅基二維互補疊層晶體管，集成度翻倍并實現(xiàn)卓越性能
- IT之家 12 月 11 日消息，眾所周知，傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結(jié)構(gòu)，從而獲得高性能計算能力，但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實現(xiàn)。例如，大家最常見的案例就是半導(dǎo)體行業(yè)的高精度尺寸微縮，從 14>10nm>7nm>5nm（不代表實際柵距）這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院官方公告，該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝，研發(fā)出性能優(yōu)異的異質(zhì) CFET 技術(shù)
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 晶體管
復(fù)旦大學(xué)盧紅亮教授團隊在新型氣敏材料及MEMS氣敏器件研究中取得新進展
- 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮（通訊作者）領(lǐng)導(dǎo)的團隊首次結(jié)合硬模板法、原子層沉積技術(shù)和水熱工藝，在低功耗MEMS器件上原位合成了單層有序SnO2納米碗支化ZnO納米線的多級異質(zhì)復(fù)合納米材料，并以此作為氣體傳感器，對濃度低至1ppm的硫化氫實現(xiàn)了超靈敏和高選擇性的探測。相關(guān)成果以《Hierarchical highly ordered SnO2 nanobowls branched ZnO nanowires for ultrasensitive and selective hydrogen sulfi
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 新型氣敏材料 MEMS氣敏器件
復(fù)旦大學(xué)梅永豐課題組研發(fā)柔性薄膜組裝集成芯片傳感器
- 硅芯片是當(dāng)代信息技術(shù)的核心，當(dāng)前正向“深度摩爾”（More Moore）和“超越摩爾”（More than Moore）兩個方向發(fā)展。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用是“超越摩爾”技術(shù)路線中相當(dāng)重要的一環(huán)，需要數(shù)量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號。目前，大多數(shù)傳感信號采集器件和信號處理單元均為分離設(shè)計，將在整體上產(chǎn)生更大功耗并占據(jù)更大的空間。由此，復(fù)旦大學(xué)材料科學(xué)系教授梅永豐課題組提出了將信號檢測和分析功能集成于同一個芯片器件中的全新概念。作為演示，研究團隊將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 傳感器 柔性薄膜組裝集成芯片
復(fù)旦大學(xué)率先試點設(shè)立集成電路科學(xué)與工程一級學(xué)科
- 近日，復(fù)旦大學(xué)面向國家重大戰(zhàn)略需求，加快集成電路人才培養(yǎng)邁出重要一步?！凹呻娐房茖W(xué)與工程” 博士學(xué)位授權(quán)一級學(xué)科點將于2020年試點建設(shè)，并啟動博士研究生招生。
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 集成電路 產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新
聯(lián)想上海研發(fā)中心擴建項目將于明年在張江投用
- 近日，聯(lián)想與復(fù)旦大學(xué)管理學(xué)院聯(lián)合舉辦的“智慧 讓城市更美好——2019智慧城市論壇”隆重召開。并在論壇上透露，位于張江科學(xué)城內(nèi)的聯(lián)想上海研發(fā)中心擴建項目一期已完成封頂，預(yù)計年底竣工，明年投入使用，將涵蓋智慧+功能。
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)想 張江 復(fù)旦大學(xué)
復(fù)旦大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 近日，復(fù)旦大學(xué)與華為簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將圍繞國家創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，在聯(lián)合科研創(chuàng)新、人才培養(yǎng)與交流、智慧校園建設(shè)等方面開展更深層次的合作。
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 華為 戰(zhàn)略合作協(xié)議
復(fù)旦大學(xué)獲批建設(shè)國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺
- 集成電路技術(shù)是信息社會的基礎(chǔ)，也是國家綜合實力的關(guān)鍵標(biāo)志之一。為了加快集成電路領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)的攻關(guān)，加強集成電路"卡脖子"技術(shù)領(lǐng)域人才培養(yǎng)，國家發(fā)改委、工信部、教育部根據(jù)《國家集成電路發(fā)展推進綱要》和《教育部等七部門關(guān)于加強集成電路人才培養(yǎng)的意見》，積極推進在中央高校建設(shè)國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺。近日，教育部發(fā)文，正式批復(fù)同意復(fù)旦大學(xué)承擔(dān)的"國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺"項目可研報告。
- 關(guān)鍵字： 集成電路 復(fù)旦大學(xué) 人才培養(yǎng)
盤點中國大陸系微控制器（MCU）廠商（一）
- 上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司 1998年7月，由復(fù)旦大學(xué)“專用集成電路與系統(tǒng)國家重點實驗室”、上海商業(yè)投資公司和一批夢想創(chuàng)建中國最好的集成電路設(shè)計公司(芯片設(shè)計)的創(chuàng)業(yè)者聯(lián)合發(fā)起創(chuàng)建了復(fù)旦微電子。MCU主要產(chǎn)品有：16位微控制器和基于Arm Cortex-M0內(nèi)核的32位微控制器產(chǎn)品?！ ∩钲谑懈粷M電子集團股份有限公司 是一家從事高性能模擬及數(shù)?；旌霞呻娐吩O(shè)計研發(fā)、封裝、測試和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有電源管理、LED驅(qū)動、MOSFET等涉及消費領(lǐng)域IC產(chǎn)品四百余種。MCU主要產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： MCU 復(fù)旦大學(xué)
復(fù)旦大學(xué)與Google正式合作：主攻人工智能
- 據(jù)谷歌黑板報公布，5月31日，Google 在上海與復(fù)旦大學(xué)簽署兩年期合作協(xié)議，宣布成立復(fù)旦大學(xué)-谷歌科技創(chuàng)新實驗室，建立戰(zhàn)略合作關(guān)系?！ ?fù)旦大學(xué)常務(wù)副校長桂永浩教授、校長助理徐雷教授、Google大中華區(qū)總裁石博盟(Scott Beaumont)、Google大中華區(qū)公共政策與政府事務(wù)經(jīng)理張弘、Google中國教育合作部經(jīng)理朱愛民等出席了簽約儀式?！ 』诖舜魏炇鸬膮f(xié)議，Google將重點支持復(fù)旦大學(xué)在人工智能、數(shù)據(jù)科學(xué)、移動應(yīng)用等新興科技領(lǐng)域的課程和創(chuàng)新科技聯(lián)合實驗室建設(shè)，并支持中美青年創(chuàng)客交流
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) Google 人工智能
復(fù)旦大學(xué)科研團隊開創(chuàng)研發(fā)第三類存儲技術(shù)
- 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團隊實現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。 據(jù)了解，目前半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲，例如計算機中的內(nèi)存，掉電后數(shù)據(jù)會立即消失;第二類是非易失性存儲，例如人們常用的U盤，在寫入數(shù)據(jù)后無需額外能量可保存10年。前者可在幾納秒左右寫入數(shù)據(jù)，第二類電荷存儲技術(shù)需要幾微秒到幾十微秒才能把數(shù)據(jù)保存
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 存儲
復(fù)旦大學(xué)兩成果亮相“集成電路設(shè)計奧林匹克”ISSCC 2018
- 美國當(dāng)?shù)貢r間2月11日，2018國際固態(tài)電路會議(ISSCC 2018)在舊金山舉行，202篇來自學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的前沿成果論文在這一集成電路設(shè)計領(lǐng)域的頂級學(xué)術(shù)會議中向全世界發(fā)布。由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院無線集成電路與系統(tǒng)(WiCAS)課題組和腦芯片研究中心模擬與射頻集成電路設(shè)計團隊研發(fā)的兩項成果雙雙亮相，分別以論文《面向窄帶物聯(lián)網(wǎng)NBIOT應(yīng)用的緊湊型雙頻段數(shù)字式功率放大器》(“A Compact Dual-Band Digital Doherty Power Amplifier Using Parall
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 集成電路
復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出可植入人體納米發(fā)電機
- 近日，中國復(fù)旦大學(xué)研發(fā)了一款可植入人體靜脈的輕型發(fā)電機。該發(fā)電機可利用血管中流動的血液自主發(fā)電，或?qū)⒃谖磥碛糜谂R床。 據(jù)悉，該發(fā)電機基于纏繞在聚合物核心上有序排列的碳納米管，由纖維狀流體納米器(FFNG)負(fù)責(zé)相對運動，從而通過纖維分層獲得血液流動梯度力。研發(fā)人員表示，該發(fā)電機的安全保障性極高，未來或?qū)⒂糜谂R床，為植入醫(yī)療設(shè)備技術(shù)貢獻(xiàn)一份力量。 目前，研發(fā)人員還未公布該設(shè)備所能產(chǎn)生的具體功率數(shù)。但研發(fā)人員表示，該設(shè)備相較于其他微型能量采集設(shè)備效率大有提升，功率轉(zhuǎn)換率高于
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 納米發(fā)電機
復(fù)旦大學(xué)制備出高效率黑硅太陽能電池
- 日前，復(fù)旦大學(xué)光科學(xué)與工程系陸明課題組通過在p型單晶Si(100)上擴散磷制備pn結(jié)，利用化學(xué)刻蝕方法在n型發(fā)射極中形成多孔黑硅，并利用該種黑硅材料制備出高效太陽能電池。采用黑硅材料制備出的電池效率達(dá)到18.97%，突破了國際上同類結(jié)構(gòu)電池的最高水平。 由于硅納米晶帶隙高于晶硅，該黑硅電池的開路電壓也就高于相應(yīng)的平面硅電池。而且，發(fā)射極的梯度帶隙結(jié)構(gòu)還抑制了前表面電子和空穴的復(fù)合。由于短波長范圍吸收度高，因此短波長處的光伏響應(yīng)也較好。 據(jù)悉，這一相關(guān)研究成果已發(fā)表于《納米技術(shù)》，同時入選《
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 太陽能電池
復(fù)旦大學(xué)制備出效率達(dá)18.97%黑硅太陽能電池
- 復(fù)旦大學(xué)光科學(xué)與工程系陸明課題組利用黑硅材料制備出了高效的太陽能電池。相關(guān)研究成果日前發(fā)表于《納米技術(shù)》，同時入選《納米技術(shù)選集》。 據(jù)悉，該課題組提出了一種提高電池效率的新方法。這種方法采用黑硅材料，制備的電池效率突破國際上同類結(jié)構(gòu)電池的最高水平，達(dá)到18.97%。研究者通過在p型單晶Si(100)上擴散磷制備pn結(jié)，利用化學(xué)刻蝕方法在n型發(fā)射極中形成多孔黑硅，其紫外可見光范圍反射率低于0.3%。 與平面晶硅電池相比，這種黑硅電池具有寬譜特性，其光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)18.97%。由于硅納米晶
- 關(guān)鍵字： 復(fù)旦大學(xué) 太陽能電池
“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”的理解，并與今后在此搜索“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”的理解，并與今后在此搜索“復(fù)旦大學(xué)”“新華書店”的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473