中國(guó)電科文章進(jìn)入中國(guó)電科技術(shù)社區(qū)

中國(guó)電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定

近日，中國(guó)電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應(yīng)用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目技術(shù)難度大，創(chuàng)新性顯著，總體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。該項(xiàng)目聚焦新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芨呖煽刻蓟鐼OSFET器件自主創(chuàng)新的迫切需求，突破多項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺(tái)，國(guó)內(nèi)率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現(xiàn)新能源汽車、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
關(guān)鍵字：中國(guó)電科 55所碳化硅 MOSFET

近日，中國(guó)電科網(wǎng)絡(luò)通信研究院研發(fā)的超高頻射頻識(shí)別芯片陸續(xù)交付用戶。該款芯片是國(guó)內(nèi)首款完全符合特定標(biāo)準(zhǔn)的射頻識(shí)別芯片，已成功應(yīng)用于標(biāo)識(shí)牌系統(tǒng)中，為個(gè)人信息標(biāo)識(shí)、相關(guān)信息存儲(chǔ)提供安全保障。中國(guó)電科表示，該芯片在基帶、射頻、存儲(chǔ)器等方面取得大量原始技術(shù)創(chuàng)新成果，在靈敏度、可靠性等指標(biāo)上相較于同類型產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)較大提升。前不久，中國(guó)電科49所超低溫鉑電阻研制成功，實(shí)現(xiàn)最低測(cè)量溫度零下196℃。鉑電阻是溫度傳感器的關(guān)鍵敏感元件，具有精度高、體積小、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)，通常的測(cè)量范圍是零下
關(guān)鍵字：中國(guó)電科超高頻識(shí)別芯片射頻芯片

IT之家?12 月 7 日消息，據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（中國(guó)電科）消息，近日，由中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院主導(dǎo)制定的兩項(xiàng)半導(dǎo)體國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布，這也是我國(guó)在微波集成電路領(lǐng)域首次提出并主導(dǎo)制定的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)介紹，兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)瞄準(zhǔn) 5G 通信、電子測(cè)量等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的微波集成電路，規(guī)定了衰減器、限幅器的指標(biāo)體系和測(cè)試方法，為規(guī)范產(chǎn)品性能測(cè)試和質(zhì)量評(píng)價(jià)提供標(biāo)準(zhǔn)支撐，對(duì)現(xiàn)有微波器件標(biāo)準(zhǔn)體系進(jìn)行有效補(bǔ)充和完善，體現(xiàn)了我國(guó)在該領(lǐng)域的技術(shù)水平和實(shí)力。近年來(lái)，中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院主導(dǎo)制定發(fā)布四項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，有力提升
關(guān)鍵字：中國(guó)電科 5G 電子測(cè)量

據(jù)“中國(guó)電科”報(bào)道，國(guó)內(nèi)高能離子注入機(jī)核心技術(shù)難關(guān)得到突破！由中國(guó)電科所屬北京爍科中科信設(shè)備研發(fā)團(tuán)隊(duì)自主研制的國(guó)內(nèi)首臺(tái)高能離子注入機(jī)已順利進(jìn)駐國(guó)內(nèi)先進(jìn)集成電路大生產(chǎn)線。作為集成電路芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入機(jī)設(shè)備的研制難度極大、研制基礎(chǔ)薄弱，其應(yīng)用也非常廣泛，不僅可以用做大規(guī)模集成電路和器件和半導(dǎo)體材料的離子注入，還能用于金屬材料表面改性和制膜等方面。其中，低能大束流離子注入機(jī)被應(yīng)用于制程邏輯、DRAM、3D存儲(chǔ)器和CIS芯片制造中，高能離子注入機(jī)則較多應(yīng)用在功率器件、IGBT、5G射頻、CIS、邏輯芯
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　　近日，中國(guó)電科55所國(guó)博公司上報(bào)的《2012-2014年集成電路企業(yè)研發(fā)能力實(shí)施方案》，憑借過(guò)硬的產(chǎn)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)、良好的發(fā)展前景、具體的可行方案，順利通過(guò)評(píng)審，獲得國(guó)家發(fā)改委和財(cái)政部項(xiàng)目支持。　　在“十二五”期間，中國(guó)電科國(guó)博公司計(jì)劃在射頻集成電路和模塊研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域，通過(guò)穩(wěn)步發(fā)展射頻基站產(chǎn)品、大力推廣終端產(chǎn)品、擴(kuò)展新興產(chǎn)業(yè)方向，保持快速持續(xù)健康的發(fā)展。預(yù)計(jì)在2015年，國(guó)博電子將在射頻芯片及模塊產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域繼續(xù)保持國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的地位，并在技術(shù)上緊跟國(guó)際知名公司、達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，在規(guī)
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