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國產(chǎn)3nm芯片刻蝕機取得突破 美企多次竊取中微專利

  • 近日，國產(chǎn)芯片行業(yè)傳來好消息。據(jù)媒體報道，中微公司成功研制出3nm蝕刻機，且完成了原型機的設計、制造、測試及初步的工藝開發(fā)和評估，并已進入量產(chǎn)階段。之前，中微的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶先進集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。此次3nm刻蝕機誕生，使得中國芯片企業(yè)以后能夠參與到更先進的高端芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈中。眾所周知，半導體工藝流程主要包括晶圓制造、設計、制造和封測幾個環(huán)節(jié)。每個環(huán)節(jié)不但需要高尖端技術(shù)，還需要大量的軟件和硬件設備。單晶硅片制造需要單晶爐等設備，IC制造需要光刻機、刻蝕機、薄膜設
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中微在VLSIresearch客戶滿意度調(diào)查中蟬聯(lián)上榜

  • 中微在全球晶圓制造設備供應商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment）中排名第三，在客戶合作方面獲得了客戶的高度評價。中微在十大芯片制造設備專業(yè)型供應商（10 BEST Focused Suppliers of Chip Making Equipment）和專用芯片制造設備供應商（THE BEST Suppliers of Fab Equipment to Specialty Chip Makers）中均位列第二。
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中芯、中微和華力等齊心協(xié)力，將IC打造成“上海制造”代表

  • 　　目前在國內(nèi)集成電路領域，上海市無疑已成為國內(nèi)“產(chǎn)業(yè)最集中、產(chǎn)業(yè)鏈最完整、綜合技術(shù)水平最高”的地區(qū)。據(jù)上海市集成電路行業(yè)協(xié)會發(fā)布的《2018年上海集成電路產(chǎn)業(yè)白皮書》顯示，2017年上海集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模達到1180.62 億元，同比增長12.2%。這是繼2014年以來上海集成電路產(chǎn)業(yè)銷售規(guī)模連續(xù)4年實現(xiàn)兩位數(shù)增長。　　為推動上海集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，2016年1月，上海成立了一只500億元的上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金，主要分為100億元的裝備材料基金、100億元的設計基金、300億元的制造基金。據(jù)了解，該產(chǎn)業(yè)
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中微在VLSIresearch客戶滿意度調(diào)查中榮登上榜

  • 　　中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡稱“中微”)宣布，中微在VLSIresearch(美國領先的半導體行業(yè)市場研究公司，以下簡稱“VLSI”)舉辦的2018年度客戶滿意度調(diào)查(簡稱“CSS”)中榮登上榜，在多項排名中位居前列。VLSI從1988年開始每年都會舉辦這項客戶滿意度調(diào)查，這是業(yè)內(nèi)唯一一項能讓不同地區(qū)的客戶對它們?nèi)虻陌雽w設備和子系統(tǒng)的供應商進行匿名反饋的調(diào)查。上榜企業(yè)名單中有來自美國、歐洲、亞洲和以色列的企業(yè)，中微是其中唯一一家中國本土的半導體設備公司。　　中微在芯片制造設備專業(yè)型供應商
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中微發(fā)布第一代電感耦合等離子體刻蝕設備Primo nanova?

  • 中國上海，2018年3月13日電——中微半導體設備（上海）有限公司（以下簡稱“中微”）在本周舉辦的SEMICON China期間正式發(fā)布了第一代電感耦合等離子體刻蝕設備Primo nanova?，用于大批量生產(chǎn)存儲芯片和邏輯芯片的前道工序。該設備采用了中微具有自主知識產(chǎn)權(quán)的電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)和許多創(chuàng)新的功能，以幫助客戶達到芯片制造工藝的關(guān)鍵指標，例如關(guān)鍵尺寸（CD）刻蝕的精準度、均勻性和重復性等。其創(chuàng)新的設計包括：完全對稱的反應腔，超高的分子泵抽速；獨特的低電容耦合線圈設計和多區(qū)細分溫控靜電吸盤（E
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中微贏得針對Veeco上海的專利禁令申請

  • 　　中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡稱“中微”)今日宣布，中國福建省高級人民法院同意了中微針對維易科精密儀器國際貿(mào)易(上海)有限公司(以下簡稱“Veeco上海”)的禁令申請，該禁令禁止Veeco上海進口、制造、向任何第三方銷售或許諾銷售侵犯中微第CN 202492576號專利的任何化學氣相沉積裝置和用于該等裝置的基片托盤。該禁令涵蓋TurboDisk EPIK 700、EPIK 700 C2 和EPIK 700 C4機型
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中微贏得起訴Veeco專利侵權(quán)的關(guān)鍵專利有效性審決

  • 中國上海，2017年11月24日電——中微半導體設備（上海）有限公司（以下簡稱“中微”）迎來了階段性的關(guān)鍵勝利：國家知識產(chǎn)權(quán)局專利復審委（以下簡稱“專利復審委”）于今天作出審查決定書，否決了維易科精密儀器國際貿(mào)易（上海）有限公司（以下簡稱“Veeco上海”）關(guān)于中微專利無效的申請，確認中微起訴Veeco上海專利侵權(quán)的涉案專利為有效專利。
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中微半導體成唯一進入臺積電 7nm 制程的大陸本土設備商

  • 　　因10nm制程遭遇前所未有的挑戰(zhàn)，故全球半導體產(chǎn)業(yè)紛紛將重要資源投入在7nm制程上，臺積電、三星、GlobalFoundries、英特爾均已開始布局。據(jù)臺媒報道，目前臺積電的7nm布局最積極，近期臺積電更是轉(zhuǎn)變了7nm制程設備的采購策略，將應用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半導體5大設備商均納入采購名單，致力平衡7nm制程設備商生態(tài)價格。 　　值得注意的是，中微半導體是唯一進入臺積電7nm制程蝕刻設備的大陸本土設備
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中微半導體堅持自主創(chuàng)新 8年申請超過800件相關(guān)專利

  • 　　筆者從5月23日在北京舉行的02重大專項成果發(fā)布會上了解到，過去九年中，中微半導體通過先后承擔并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項等離子介質(zhì)刻蝕設備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的02專項任務，使我國在該項設備領域中的技術(shù)基本保持了與國際先進水平同步。 　　中微半導體率先開發(fā)了包括甚高頻去耦合反應離子刻蝕的等離子體源和雙反應臺的反應腔等一系列完全自主創(chuàng)新的設計，使之與國外同類設備相比，在產(chǎn)能、潔凈室面積占用和設備擁有成本等重要指標上都具有約30%的優(yōu)勢。中微半導體高效、好用的介質(zhì)刻蝕設備
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國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金首單落浦東 中微半導體獲投4.8億元

  • 集成電路產(chǎn)業(yè)可視為“國家戰(zhàn)略”，產(chǎn)業(yè)基金是進一步布局的具體舉措。國內(nèi)首家加工亞微米及納米級大規(guī)模集成線路關(guān)鍵設備的公司“中微半導體”，已于2014年底成為國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展投資基金第一個完成投資的項目，投資總額達到4.8億元。
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中微發(fā)布業(yè)界首創(chuàng)介質(zhì)刻蝕及除膠一體機

  • 　　中微半導體設備有限公司(簡稱“中微”)今日發(fā)布 Primo iDEA(TM) (“雙反應臺介質(zhì)刻蝕除膠一體機”)-- 這是業(yè)界首次將雙反應臺介質(zhì)等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應腔整合在同一個平臺上。Primo iDEA(TM) 主要針對2X納米及更先進的刻蝕工藝，運用中微已被業(yè)界認可的 D-RIE 刻蝕技術(shù)和 Primo 平臺，避免了因等離子體直接接觸芯片引發(fā)的器件損傷(PID)，提高了工藝的靈活性，減少了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率并使占用生產(chǎn)空間更優(yōu)化。
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中微公司首次進入半導體照明市場

  • 在下周即將舉行的 SEMICON China 展會期間，中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡稱“中微”)將正式發(fā)布多反應器金屬有機化合物氣相沉積設備(MOCVD)，并首次進入半導體照明市場。Prismo D-Blue(TM) MOCVD 設備可以實現(xiàn)復雜的氮化鎵、銦鎵氮、鋁鎵氮超薄層結(jié)構(gòu)的大批量生產(chǎn)，這些超薄層結(jié)構(gòu)對于高亮度 LED 是必需的。
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中微公司任命陳偉文先生為副總裁兼首席財務官

  • 　　中微半導體設備(上海)有限公司(以下簡稱“中微公司”)新任命陳偉文先生為副總裁兼首席財務官。作為一名資深的國際化金融和財務職業(yè)管理人，陳先生曾在多家跨國公司任首席財務官，擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗。他將在中微公司主要負責預算管理、財務管理、風險控制、內(nèi)審及投資者關(guān)系等，并直接向首席執(zhí)行官匯報。 　　中微公司新任命前阿特斯太陽能有限公司高管陳偉文先生出任副總裁兼首席財務官，陳偉文先生將在中微公司主要負責預算管理、財務管理、風險控制、內(nèi)審及投資者關(guān)系等，并直接向首席執(zhí)行官匯報。 　　在
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中微公司發(fā)布新一代等離子刻蝕設備

  • 　　近日，中微半導體發(fā)布了兩款新一代刻蝕設備。 　　新設備中的第一款是Primo SSC AD-RIE(“單反應器甚高頻去耦合反應離子介質(zhì)刻蝕機”)，可應用于最先進的存儲芯片和邏輯芯片的加工生產(chǎn)，包括2x納米及1x納米代高深寬比接觸孔刻蝕、溝槽及接觸孔刻蝕、串行刻蝕(在單反應器中實現(xiàn)多步操作)。Primo SSC AD-RIE擁有獨特的創(chuàng)新設計，能夠在工藝控制方面實現(xiàn)前所未有的靈活性，并能幫助芯片生產(chǎn)商在確保芯片加工質(zhì)量的同時達到更高的產(chǎn)出效率。 　　另一款，12英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV3
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中微推出硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E

  • 中微半導體設備有限公司(以下簡稱“中微”)推出了8英寸硅通孔(TSV)刻蝕設備Primo TSV200E(TM) -- 該設備結(jié)構(gòu)緊湊且具有極高的生產(chǎn)率，可應用于8英寸晶圓微電子器件、微機電系統(tǒng)、微電光器件等的封裝。繼中微第一代和第二代甚高頻去耦合等離子刻蝕設備Primo D-RIE(TM) 和Primo AD-RIE(TM)之后，中微的這一TSV刻蝕設備將被用于生產(chǎn)芯片的3D封裝、CMOS圖像感測器、發(fā)光二極管、微機電系統(tǒng)等。中微的8英寸硅通孔刻蝕設備Primo TSV200E(TM)已經(jīng)進入昆山西鈦微
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