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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 互連線

直流和脈沖電鍍Cu互連線的性能比較

  • 針對先進納米Cu互連技術的要求，比較了直流和脈沖兩種電鍍條件下Cu互連線的性能以及電阻率、織構系數(shù)、晶粒大小和表面粗糙度的變化。實驗結(jié)果表明，在相同電流密度條件下，脈沖電鍍所得cu鍍層電阻率較低，表面粗糙度較小，表面晶粒尺寸和晶粒密度較大，而直流電鍍所得鍍層(111)晶面的擇優(yōu)程度優(yōu)于脈沖。在超大規(guī)模集成電路Cu互連技術中，脈沖電鍍將有良好的研究應用前景。
  • 關鍵字： 直流  脈沖電鍍  互連線  性能比較    

集成電路Cu互連線的XRD研究

  • 對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構情況。實驗結(jié)果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。
  • 關鍵字： XRD  集成電路  互連線    
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