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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 低通導(dǎo)電阻

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

  • 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站www.rutronik24.com.cn上供應(yīng)這款MOSFET器件。SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極
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低通導(dǎo)電阻介紹

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