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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 關(guān)斷特性

結(jié)電容對功率MOSFET關(guān)斷特性的影響分析

  • 摘 要：為了分析功率MOSFET關(guān)斷特性，本文基于結(jié)電容的概念探討了功率MOSFET關(guān)斷過程的機理并推導 了數(shù)學模型，表明了MOSFET關(guān)斷過程存在“柵控”和“容控”兩種控制模式；建立了功率MOSFET的Spice模 型，仿真結(jié)果對數(shù)學模型進行了驗證；設計了雙脈沖實驗，實驗結(jié)果與模型和仿真結(jié)果一致。研究結(jié)論有助于 器件設計優(yōu)化和應用改善。關(guān)鍵詞：關(guān)斷特性；結(jié)電容；Spice模型；雙脈沖1 引言功率 MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect tran
  • 關(guān)鍵字： 202210  關(guān)斷特性  結(jié)電容  Spice模型  雙脈沖  
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關(guān)斷特性介紹

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