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制造工藝
制造工藝 文章 進(jìn)入制造工藝技術(shù)社區(qū)
漲知識(shí)！氮化鎵（GaN）器件結(jié)構(gòu)與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)，再對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比，總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外，對(duì)氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述，加深對(duì)氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上，對(duì)不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對(duì)比說(shuō)明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝（一）器件結(jié)構(gòu)對(duì)比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)，目前市面上還未出現(xiàn)G
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 GaN 結(jié)構(gòu) 制造工藝
半導(dǎo)體制造工藝——挑戰(zhàn)與機(jī)遇
- 半導(dǎo)體元件制造涉及到一系列復(fù)雜的制作過程，將原材料轉(zhuǎn)化為成品元件，以應(yīng)用于提供各種關(guān)鍵控制和傳感功能應(yīng)用的需求。——Andreas Bier | Sr Principal Product Marketing Specialist半導(dǎo)體制造涉及一系列復(fù)雜的工藝過程，從而將原材料轉(zhuǎn)化為最終的成品元件。該工藝通常包括四個(gè)主要階段：晶片制造、晶片測(cè)試組裝或封裝以及最終測(cè)試。每個(gè)階段都有其獨(dú)特的攻堅(jiān)點(diǎn)和機(jī)遇。而其制造工藝也面臨著包括成本、復(fù)雜多樣性和產(chǎn)量在內(nèi)的諸多挑戰(zhàn)，但也為創(chuàng)新和發(fā)展帶來(lái)了巨大的機(jī)遇。通過應(yīng)對(duì)其中
- 關(guān)鍵字： 元件制造 半導(dǎo)體 制造工藝
黃仁勛盛贊英特爾下一代制造工藝，有望委托代工英偉達(dá) AI 芯片
- 5 月 30 日消息，黃仁勛昨天出席臺(tái)北電腦展主題演講后，今天再度現(xiàn)身與全球記者及分析師進(jìn)行問答，共有約 150 名來(lái)自國(guó)內(nèi)外記者及分析師出席。他表示：公司供應(yīng)鏈將力求實(shí)現(xiàn)多元化，而這一點(diǎn)目前已經(jīng)做到了。H100 是由臺(tái)積電代工生產(chǎn)，部分產(chǎn)品也由三星代工生產(chǎn)，并表示對(duì)未來(lái)與英特爾合作搭載人工智能芯片持開放態(tài)度。黃仁勛透露，該公司最近已經(jīng)收到了基于英特爾下一代工藝節(jié)點(diǎn)的制造的測(cè)試芯片，測(cè)試結(jié)果良好?！澳阒?，我們也在和三星合作生產(chǎn)，我們也愿意和英特爾合作。帕特?格爾辛格之前表示正在評(píng)估該工藝，我們最近收到了
- 關(guān)鍵字： 黃仁勛 英特爾 制造工藝 英偉達(dá) AI
TechInsights：關(guān)于納米的謊言
- 代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會(huì)謊報(bào)自己的年齡或體重，但若公司出現(xiàn)了謊報(bào)行為，則可視為虛假?gòu)V告或至少構(gòu)成了品牌稀釋。最近的半導(dǎo)體市場(chǎng)就出現(xiàn)了這種情況，當(dāng)時(shí)，兩家領(lǐng)先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而實(shí)際使用的卻仍是5納米技術(shù)。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背后，也意味著晶體管發(fā)展的緩慢。這個(gè)問題最初始于三星。在與臺(tái)積電下一個(gè)節(jié)點(diǎn)的長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產(chǎn)4納米芯片。如圖1所示，臺(tái)積電計(jì)劃在5納米和4納米節(jié)點(diǎn)之間用兩年時(shí)間，在2
- 關(guān)鍵字： TechInsights 代工廠 制造工藝 謊言 5納米 4納米 3納米
提高射頻功率放大器效率的技術(shù)路線及其比較
- 在向著4G手機(jī)發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA和HSDPA，與此同時(shí)，要要支持100Mb/s～1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIMO天線技術(shù)，乃至支持VoWLAN的組網(wǎng)，因此，在射頻信號(hào)鏈設(shè)計(jì)的過程中，如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三條技術(shù)路線，本文就這三條技術(shù)路線進(jìn)行簡(jiǎn)要的比較。 利用超CMOS工藝，從提高集成度來(lái)間接提升P
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半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展及封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)
- 半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)尺寸的縮小使得RC延遲成為制約集成電路性能進(jìn)一步提高的關(guān)鍵性因素。轉(zhuǎn)向低k銅工藝技術(shù)是業(yè)界給出的解決方案。雙大馬士革工藝取代了傳統(tǒng)的鋁“減”工藝，成為低k銅互連材料的標(biāo)準(zhǔn)制造工藝。 為了能與芯片制造工藝完美結(jié)合，不產(chǎn)生可靠性問題，低k絕緣材料必須具備一系列期望的材料特性，對(duì)低k材料研發(fā)本身的挑戰(zhàn)在于：在獲得所需要的低介電常數(shù)的同時(shí)，低k材料還必須滿足良好的熱和機(jī)械特性。但目前并沒有完全符合這些期望特性的低k材料被制造出來(lái)，因而給半導(dǎo)體制造工藝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 集成電路 低k銅 制造工藝
便攜式產(chǎn)品的單芯化成為趨勢(shì)
- 市場(chǎng)需求和技術(shù)支撐組成了便攜式產(chǎn)品走向全面單芯化的雙重推動(dòng)力。用于便攜式產(chǎn)品的SoC正在大規(guī)模地包容包括ADC和PLL在內(nèi)的模擬電路，單芯化設(shè)計(jì)有助于減少元件數(shù)量、芯片占板面積、BOM以及芯片功耗等。 集眾多數(shù)字和模擬技術(shù)與一身的手機(jī)芯片是單芯化設(shè)計(jì)趨勢(shì)的一個(gè)縮影。一個(gè)集成了基帶、RF收發(fā)器、SRAM和PMU的SoC就幾乎組成一個(gè)完整的手機(jī)芯片方案。TI、英飛凌、NXP和高通已經(jīng)陸續(xù)推出了多個(gè)面向2G、2.5G和3G的單芯片方案。 即便是作為手機(jī)附屬功能，Wi-Fi和AM/FM接收器的
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 單芯片 制造工藝 便攜式 消費(fèi)電子
制造工藝介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)制造工藝的理解，并與今后在此搜索制造工藝的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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