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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 刻蝕系統(tǒng)

應(yīng)用材料推出全新刻蝕系統(tǒng)

  • 　　應(yīng)用材料11月30日宣布推出全新的 Centris? AdvantEdge? Mesa?刻蝕系統(tǒng)，主要針對(duì)45nm以下存儲(chǔ)和邏輯芯片市場(chǎng)。結(jié)構(gòu)緊湊的Centris系統(tǒng)裝配了8個(gè)反應(yīng)腔，即6個(gè)刻蝕反應(yīng)腔和2個(gè)刻蝕后清潔腔，每小時(shí)可處理多達(dá)180片硅片，最多可將單片硅片的制造成本降低30%。同時(shí)Centris系統(tǒng)在腔體設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)了突破，極大的提高了CD的均勻一致性，將其變化范圍控制在0.8nm以?xún)?nèi)。 　　
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應(yīng)用材料公司推出全新的Mariana刻蝕系統(tǒng)

  • 　　近日，應(yīng)用材料公司推出了新的Applied Centura® Mariana™ Trench Etch系統(tǒng)，這是深槽刻蝕納米制造技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的一次重大飛躍。Mariana是第一個(gè)能夠刻蝕80:1長(zhǎng)寬比深槽的系統(tǒng)，這個(gè)關(guān)鍵性能使客戶(hù)可以擴(kuò)展DRAM電容到70nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)。雙頻調(diào)諧功能夠精密控制刻蝕輪廓和臨界尺寸，使刻蝕深度不一致性小于2%。同時(shí)，系統(tǒng)獨(dú)特的等離子化學(xué)反應(yīng)提供了全所未有的硬掩膜選擇性。 　　應(yīng)用材料公司資深副總裁，刻蝕、清潔、前道和離子注入集團(tuán)總經(jīng)理Tom St. De
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刻蝕系統(tǒng)介紹

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