- 我們先來看看MOS關模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
- 關鍵字：
MOSFET 驅動器 功耗計算
- 我們先來看看MOS關模型：
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耗盡區(qū)電容
- 關鍵字：
MOSFET 驅動器 功耗計算 方法
- 功率開關管功耗的計算1）開關管導通時的功耗測試開通時間Ton（uS）4.955（時間測量以電壓波形為基...
- 關鍵字：
開關管 整流管 功耗計算
- 我們先來看看MOS關模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
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MOSFET 驅動器 功耗計算
功耗計算介紹
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