半導體薄膜生長 文章 進入半導體薄膜生長技術社區(qū)

原位拉曼系統(tǒng)--實時監(jiān)測半導體薄膜生長全過程

• 在半導體工藝中，薄膜沉積是在半導體原材料硅晶圓上分階段生長薄膜的核心工藝。它在半導體電路之間起到區(qū)分、連接和保護作用。由于其厚度非常薄，在晶圓上形成均勻地薄膜具有很高的難度。所以在化學沉積過程中，確認薄膜材料是否正常生長，以及能否產(chǎn)生所需的特定物性，就非常重要。為了確保薄膜沉積按照預期進行，通常將已長成的薄膜從真空化學氣相沉積（CVD）腔室中取出，然后用分析儀器進行檢查。它被稱為“Ex-Situ”方法，是從外部而不是在腔室內部進行分析。但是，從真空室中取出的薄膜可能會與大氣中的氧氣或水分接觸，從而改變物性
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