單元庫驗(yàn)證 文章 進(jìn)入單元庫驗(yàn)證技術(shù)社區(qū)

亞閾值數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫設(shè)計(jì)

• 基于對(duì)0.18 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的研究，本文設(shè)計(jì)了一套完備的電源電壓為0.4 V的亞閾值數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫。設(shè)計(jì)流程包括工藝研究與方案設(shè)計(jì)、單元設(shè)計(jì)與物理實(shí)現(xiàn)、庫文件的提取以及單元庫驗(yàn)證。提出了傳統(tǒng)溝道寬度調(diào)節(jié)與溝長偏置相結(jié)合的尺寸調(diào)整策略，有效增強(qiáng)PMOS管驅(qū)動(dòng)并減小漏電流，提升庫單元穩(wěn)定性。利用ISCAS基準(zhǔn)測(cè)試電路完成亞閾值標(biāo)準(zhǔn)單元庫的驗(yàn)證，0.4 V電壓下，相同設(shè)計(jì)，基于亞閾值數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫的設(shè)計(jì)的相比于基于商用庫的設(shè)計(jì)，能耗減小20%以上，數(shù)據(jù)延時(shí)也有所減小，即亞閾值標(biāo)準(zhǔn)單元庫性能明顯優(yōu)于商用庫
• 關(guān)鍵字： 亞閾值  數(shù)字標(biāo)準(zhǔn)單元庫  尺寸設(shè)計(jì)  單元庫驗(yàn)證  201811