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工程師技術(shù)講解:基于單硅后級的電路仿真

  • 電路模型:仿真波形如下:對仿真結(jié)果總結(jié)得到的是:電容在被反向充電達(dá)到頂峰后即向充電方向的反向放電,這時(shí)可控硅關(guān)斷。圖中電容開始反向放電時(shí)假設(shè)參數(shù)如圖:ik為關(guān)閉前的維持電流,im為為電感回路的最大峰值電流,總電流要滿...
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單硅電路仿介紹

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