原子層沉積文章進(jìn)入原子層沉積技術(shù)社區(qū)

建設(shè)高端半導(dǎo)體裝備，SRII賦能新一代集成電路制造

思銳智能攜業(yè)界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相SEMICON China 2024，持續(xù)建設(shè)全球一流的高端半導(dǎo)體制造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導(dǎo)體等諸多高精尖領(lǐng)域。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)精彩瞬間思銳智能離子注入機(jī)（IMP）模型根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國(guó)大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)28.3%。中國(guó)對(duì)成熟節(jié)點(diǎn)技術(shù)表現(xiàn)出了強(qiáng)勁的需求和消費(fèi)能力?？v觀全局，離子注入已成為半導(dǎo)體器件制備中最主要的摻雜方法，是最基
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原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當(dāng)前及未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)的收縮及更復(fù)雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關(guān)鍵技術(shù)。如今，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)以驚人的速度持續(xù)進(jìn)步，精確而又高效地生成關(guān)鍵器件特征成為了一項(xiàng)持久的挑戰(zhàn)。原子層沉積工藝依靠專業(yè)的高性能原子層沉積閥在數(shù)百萬(wàn)個(gè)脈沖中輸送精確的化學(xué)品劑量，構(gòu)建形成材料層。為了達(dá)到原子級(jí)精密度和高生產(chǎn)良品率，輸送這些脈沖式化學(xué)品劑量的閥門必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應(yīng)時(shí)間、高溫高流量應(yīng)用
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