參數(shù) 文章 進(jìn)入?yún)?shù)技術(shù)社區(qū)
MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解
- 1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應(yīng)管(FET)是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種,因?yàn)榻^緣柵型晶體管(MOSFET,下面簡稱MOS管)的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時(shí)工藝簡單,因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類,每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種,只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強(qiáng)型管,只要柵極-源極
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基于DP標(biāo)準(zhǔn)的擴(kuò)頻時(shí)鐘發(fā)生器系統(tǒng)參數(shù)研究
- 1 引言DP(DisplayPort)接口標(biāo)準(zhǔn)旨在尋求代替計(jì)算機(jī)的數(shù)字視頻接口DVI(Digital Visual Interface)、LCD顯示器的低壓差分信號LVDS(Low Voltage Di
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五個(gè)簡便步驟設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源關(guān)鍵參數(shù)
- 在如今的系統(tǒng)電路板上,電壓軌及電源數(shù)量越來越多。對于先進(jìn)的電源設(shè)計(jì)方案而言,尺寸、效率、熱性能和瞬態(tài)性能都是至關(guān)重要的,那么為特定應(yīng)用設(shè)計(jì)定
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光耦電路中常常被人忽視的6個(gè)關(guān)鍵參數(shù)
- 光耦設(shè)計(jì)在電路中的主要作用,是對光能與電能進(jìn)行隔離,從而達(dá)到防止干擾保護(hù)電路運(yùn)行狀態(tài)額目的。但是在對光耦電路進(jìn)行設(shè)計(jì)之前,首先需要了解一些基
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詳解開關(guān)電源PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)和電氣要求
- 在任何開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,PCB板的物理設(shè)計(jì)都是最后一個(gè)環(huán)節(jié),如果設(shè)計(jì)方法不當(dāng),PCB可能會輻射過多的電磁干擾,造成電源工作不穩(wěn)定,以下針對各個(gè)步驟中所需注意的事項(xiàng)進(jìn)行分析:一、從原理圖到PCB的設(shè)計(jì)流程;二、參數(shù)設(shè)置……
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淺談電子可靠性工作誤區(qū)
- 司空見慣的經(jīng)驗(yàn)性的東西,其實(shí)我們都很多都是錯(cuò)的,而這一旦用于設(shè)計(jì),產(chǎn)品可靠性可想而知。所以說“電路設(shè)計(jì)器件選型,先論證其不可行性,慎談可行性;電子設(shè)計(jì)比拼的不是誰的設(shè)計(jì)更好,而是誰的設(shè)計(jì)更少犯錯(cuò)誤”。 誤區(qū)1、產(chǎn)品故障=產(chǎn)品不可靠 產(chǎn)品出現(xiàn)問題,有時(shí)候并不是研發(fā)的問題,曾經(jīng)有案例,面向國內(nèi)中等以上發(fā)達(dá)地區(qū)的設(shè)備,因?yàn)樵趪鴥?nèi)用的不錯(cuò),所以出口到了哥倫比亞,但在那里頻頻故障,故障的原因在于中國中國大陸中等以上發(fā)達(dá)地區(qū)的海拔都比較低,所以高海拔地區(qū),設(shè)備的氣密性受到了挑戰(zhàn)
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參數(shù)介紹
參數(shù)(parameter):表征元器件特性或描述元器件安全工作范圍的一些數(shù)據(jù)稱為參數(shù)。參數(shù)一般可從手冊中查到。
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