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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 雙電壓基準(zhǔn)

單電壓基準(zhǔn)與雙電壓基準(zhǔn)的對(duì)決-III

  • 　　在這個(gè)三部分系列博文中，我已經(jīng)討論了生成兩個(gè)良好匹配、低漂移電壓基準(zhǔn)的解決方案。我們?cè)诘谝徊糠謴娜齻€(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)開(kāi)始，在第二部分比較和對(duì)比了性能方面的不同。現(xiàn)在，我們來(lái)看一看這三個(gè)解決方案的其他設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：占用的空間和成本。 　　空間占用和成本 　　除了系統(tǒng)性能之外，在高密度應(yīng)用中，PCB面積要求會(huì)十分關(guān)鍵。圖1中給出了每個(gè)解決方案的總PCB空間一覽(未考慮去耦合電容器)。 　　   　　下方的表1顯示所需空間的簡(jiǎn)單計(jì)算結(jié)果(只考慮器件本體尺寸)。通過(guò)從一個(gè)封裝尺寸為4.64 m
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單電壓基準(zhǔn)與雙電壓基準(zhǔn)的對(duì)決-II

  • 　　在我上一個(gè)帖子中，我們討論了生成兩個(gè)高精度電壓基準(zhǔn)輸出的三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。今天，我們將從三個(gè)方面，即他們輸出之間的總體誤差、漂移跟蹤和匹配，來(lái)比較這三種解決方案的性能。 　　總體誤差 　　方程式 (1) 將用百分比 (%) 給出的技術(shù)規(guī)格轉(zhuǎn)換為百萬(wàn)分比 (ppm) 表示的技術(shù)規(guī)格。 　　   　　(方程式1) 　　每個(gè)電壓輸出的總體誤差性能指標(biāo)取決于他的初始精度和工作溫度范圍內(nèi)的漂移，如方程式(2) 中所給出的那樣。 　　   　　(方程式2) 　　在解決方
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單電壓基準(zhǔn)與雙電壓基準(zhǔn)的對(duì)決-I

  • 　　開(kāi)發(fā)一個(gè)低漂移系統(tǒng)會(huì)很難，特別是在使用雙極輸入信號(hào)時(shí)更是如此。 　　諸如圖1中顯示的雙向電流感測(cè)的應(yīng)用要求使用兩個(gè)良好匹配的低漂移基準(zhǔn)電壓。第一個(gè)電壓，VREF定義ADC的滿(mǎn)量程范圍。需要一個(gè)偏置電壓，VBIAS，來(lái)電平位移雙極信號(hào)。需要使VBIAS= VREF/2，這樣的話(huà)，ADC的正負(fù)擺幅相等。我將在這個(gè)系列博文中分三次討論生成兩個(gè)基準(zhǔn)電壓的三個(gè)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 　　圖1：低漂移雙向單電源低端電流感測(cè)系統(tǒng) 　　   　　如圖2中顯示，使用兩個(gè)單獨(dú)的電壓基準(zhǔn)來(lái)提供一個(gè)簡(jiǎn)單且直接的方
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雙電壓基準(zhǔn)介紹

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