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恩智浦推出新的射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)

  • ●   全新射頻功率器件頂部冷卻封裝技術(shù)有助于打造尺寸更小巧、輕薄的無線單元，部署5G基站更快、更輕松●   簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和制造，同時(shí)保證性能 荷蘭埃因霍溫——2023年6月9日——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達(dá)克股票代碼：NXPI）宣布推出頂部冷卻式射頻放大器模塊系列，其中采用的創(chuàng)新封裝技術(shù)有助于為5G基礎(chǔ)設(shè)施打造更輕薄的無線產(chǎn)品。尺寸更小的基站可以提高安裝的便利性和經(jīng)濟(jì)性，同時(shí)能夠更分散地融入環(huán)境。恩智浦的GaN多芯片
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飛思卡爾射頻功率晶體管將耐用性、頻率范圍與寬帶能力完美結(jié)合

  • 為了滿足市場(chǎng)對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司(NYSE：FSL)推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。
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射頻功率器件介紹

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