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以工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

  • 持續(xù)的器件微縮導致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不足，評估不同集成方案的工藝窗口會變得困難。為克服這一不足，我們將舉例說明如何借助虛擬制造評估?DRAM?電容器圖形化工藝的工藝窗口。在?DRAM?器件開發(fā)中，必須在硅晶圓上刻蝕用于存儲電荷的電容孔陣列?？捎脕碇圃?40nm?孔陣列的圖形化方案包括極紫外光刻刻蝕、四重光刻刻蝕、雙自對準雙重
  • 關(guān)鍵字： 工藝窗口建模  虛擬制造  DRAM電容器圖  
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工藝窗口建模介紹

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