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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 開(kāi)關(guān)過(guò)程

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程

  • 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  漏極  導(dǎo)通  開(kāi)關(guān)過(guò)程    
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開(kāi)關(guān)過(guò)程介紹

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