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快速恢復(fù)mosfet晶體管 文章 進入快速恢復(fù)mosfet晶體管技術(shù)社區(qū)

ST推出全新快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品

  • 　　意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，為滿足包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求，新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開關(guān)性能，同時還使導(dǎo)通電阻實現(xiàn)超過18%的降幅。 　　STW55NM60ND是新的超結(jié)FDmesh™ II系列產(chǎn)品的首款產(chǎn)品，這是一款600V N溝道MOSFET晶體管，0.060歐姆的導(dǎo)通電阻在快速恢復(fù)MOSFET晶體管市場上創(chuàng)下最低記錄，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝。由于最大漏極電流達到51A，在對空間有嚴(yán)格要求的電信設(shè)備和服務(wù)器系統(tǒng)轉(zhuǎn)換器中，可以
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快速恢復(fù)mosfet晶體管介紹

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