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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 快閃記憶體

臺(tái)積電0.25微米車(chē)用嵌入式快閃記憶體出貨已達(dá)60萬(wàn)片八吋晶圓

  •   TSMC今(21)日宣布該公司符合汽車(chē)電子AEC-Q100第一級(jí)(AEC-Q100 grade1)高規(guī)格要求之0.25微米嵌入式快閃記憶體工藝,累積出貨量已達(dá)到60萬(wàn)片八吋晶圓,為客戶產(chǎn)出各種不同汽車(chē)電子應(yīng)用之集成電路產(chǎn)品,相當(dāng)于微控制器(MCU)的出貨量已超過(guò)7億2千萬(wàn)個(gè)。在2009年,部分客戶產(chǎn)品的實(shí)際行車(chē)故障率(field failure rate)已達(dá)到低于千萬(wàn)分之一(<0.1ppm)的極高水準(zhǔn)。   考慮每個(gè)產(chǎn)品在測(cè)試篩選過(guò)程中,其資料寫(xiě)入及消除(endurance cycles)及
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旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃記憶體

  •   日前,序列式快閃記憶體(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司旺宏電子(TSE:2337)宣布,領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃記憶體產(chǎn)品─MX25L25635E。   旺宏電子創(chuàng)新的32位元定址技術(shù),利用簡(jiǎn)單的切換,即可讓原有的記憶體容量提高至256Mbit,并且還提供了能相容于既有24位元定址的模式,使得系統(tǒng)工程師及制造商易于提高原有產(chǎn)品的功能及效能。   據(jù)了解,旺宏電子256Mbit序列快閃記憶體產(chǎn)品的主要應(yīng)用市場(chǎng),是在需大量程式碼及資料存儲(chǔ)方面,如高階網(wǎng)通、WiMAX、服務(wù)器
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Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示,其在韓國(guó)建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,Hynix表示,該新廠位于清州,月產(chǎn)量可達(dá)到30萬(wàn)件,并有望于在數(shù)月后提高到50萬(wàn)件。   Hynix在清州還建有另外兩個(gè)芯片制造廠,目前正在運(yùn)作當(dāng)中。   Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示,公司計(jì)劃加強(qiáng)產(chǎn)品在價(jià)格方面的競(jìng)爭(zhēng)力,并在接下來(lái)的研發(fā)道路中保持高水準(zhǔn)的投資。
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磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器將挑戰(zhàn)閃存

  •   磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)將優(yōu)于快閃記憶體(Flash閃存)?飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。   根據(jù)消息,飛思卡爾半導(dǎo)體(前摩托羅拉公司芯片部門(mén))周一宣布,它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險(xiǎn)投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司,側(cè)重于研發(fā)制造MRAM(磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器),其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。   MRAM與快閃記憶體不同,它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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快閃記憶體介紹

快閃記憶體 百科名片 快閃記憶體的英文名稱(chēng)是"Flash Memory",一般簡(jiǎn)稱(chēng)為"Flash",它屬于內(nèi)存器件的一種。 目錄 二、閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存的差異 三、性能比較 四、接口差別 五、容量和成本 六、可靠性和耐用性 七、壽命(耐用性) 八、位交換 九、壞塊處理 十、易于使用 十一、軟件支持 十二、其他作用二、閃存的物理特性與常見(jiàn)的內(nèi)存的差異 三、性能比較 [ 查看詳細(xì) ]

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