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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 急聚點(diǎn)

基于MOSFET設(shè)計(jì)優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路

  • 摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高設(shè)計(jì)的可靠性。
    關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

    功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  急聚點(diǎn)  損耗  
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急聚點(diǎn)介紹

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