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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 損耗分析

新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗分析

  • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過采用和改進(jìn)溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用ldquo
  • 關(guān)鍵字： IGBT  軟開關(guān)  損耗分析    

電子輻照對(duì)功率雙極晶體管損耗分析

  • 功率雙極晶體管由于其低廉的成本， 在開關(guān)電源中作為功率開關(guān)管得到了廣泛的應(yīng)用。應(yīng)用電子輻照技術(shù)可以減小少子壽命， 降低功率雙極晶體管的儲(chǔ)存時(shí)間、下降時(shí)間， 提高開關(guān)速度， 且一致性、重復(fù)性好， 成品率高，
  • 關(guān)鍵字： 電子輻照  雙極晶體管  損耗分析    
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損耗分析介紹

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