無(wú)源共模干擾 文章 進(jìn)入無(wú)源共模干擾技術(shù)社區(qū)

開(kāi)關(guān)電源基于補(bǔ)償原理的無(wú)源共模干擾抑制技術(shù)

• 摘要：介紹了一種基于補(bǔ)償原理的共模干擾抑制技術(shù)，通過(guò)抑制電源輻射來(lái)減少變換器的共模干擾。這種方法被推廣應(yīng)用于多種功率變換器拓?fù)?，理論和?shí)驗(yàn)結(jié)果都表明該技術(shù)有效減少了電路的共模干擾。 關(guān)鍵詞：開(kāi)關(guān)電源；共模干擾；抑制技術(shù) 引言 由于MOSFET及IGBT 和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)在電力電子電路中的廣泛應(yīng)用，使得功率變換器的開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高，結(jié)構(gòu)更加緊湊，但亦帶來(lái)許多問(wèn)題，如寄生元件產(chǎn)生的影響加劇，電磁輻射加劇等，所以EMI問(wèn)題是目前電力電子界關(guān)注的主要問(wèn)題之一。 圖1 CM 及DM 噪聲電流的耦合路徑示意圖
• 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源  無(wú)源共模干擾  模擬IC  電源