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電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過程及新趨勢(shì)

  •   摘要:簡要敘述了電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展過程,介紹了晶閘管智能模塊的結(jié)構(gòu)和特性,描述了IGBT智能模塊的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì),指出了我國大力發(fā)展IPEM的必要性。   關(guān)鍵詞:電力半導(dǎo)體模塊;智能晶閘管模塊;IGBT模塊;IGBT智能模塊   一種新型器件的誕生往往使整個(gè)裝置系統(tǒng)面貌發(fā)生巨大改觀,促進(jìn)電力電子技術(shù)向前發(fā)展。自1957年第一個(gè)晶閘管問世以來,經(jīng)過40多年的開發(fā)和研究,已推出可關(guān)斷晶閘管(GTO),絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等40多種電力半導(dǎo)體器件,目前正沿著高頻化、大功率化、智能化和模塊化的
  • 關(guān)鍵字: 電力半導(dǎo)體模塊  智能晶閘管模塊  IGBT模塊  半導(dǎo)體材料  
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智能晶閘管模塊介紹

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