核探測(cè)器 文章 進(jìn)入核探測(cè)器技術(shù)社區(qū)

納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究取得系列成果

• 　　氮化鎵(GaN)是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器(LD)、發(fā)光二極管(LED)、高電子遷移率晶體管(HEMT)等。GaN基材料的良好抗輻射性能和環(huán)境穩(wěn)定性，使得其在核探測(cè)領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景，在新型核電池領(lǐng)域也具有巨大的應(yīng)用潛力。因?yàn)镚aN輻生伏特效應(yīng)核電池相比于常規(guī)的窄帶半導(dǎo)體核電池而言，具有更高的輸出功率和轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢(shì)。 　
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