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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 模塊并聯(lián)

開關(guān)電源模塊并聯(lián)供電系統(tǒng)設(shè)計

IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計方法

  • 摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計算出電流不平衡、開關(guān)損耗及結(jié)溫。 關(guān)鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法 　　IGBT模塊在并聯(lián)時的降額必然性問題同器件的工藝問題一樣是一個老問題了。在試圖回答該問題時，工程師們通常會很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個兩難的位置上。過去，人們針對該問題提出了一些考慮統(tǒng)計因素的方法，但是到目前為止，仍然沒有人可以回答這樣的關(guān)鍵問題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時，超出器件限值的概率有多大。現(xiàn)在，英飛
  • 關(guān)鍵字： IGBT  模塊并聯(lián)  模擬分析方法  蒙特卡羅方法  200809  
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模塊并聯(lián)介紹

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